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[主观题]

硅二极管正向导通,其管压降为()。A.0.7VB.0.3VC.1VD.0.1V

硅二极管正向导通,其管压降为()。

A.0.7V

B.0.3V

C.1V

D.0.1V

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第1题
二极管完全导通时在二极管两端存在正向导通压降,硅二极管正向导通压降为()。

A.0.1~0.3V

B.0.3~0.5V

C.0.6~0.7V

D.0.7~1V

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第2题
关于半导体二极管的主要参数,下列()说法不正确。

A.最大整流电流:管子长期运行时,允许通过的最大正向平均电流

B.正向压降:二极管正向导通后的压降,一般情况,硅管的正向压降为0.2V左右

C.反向电流:指管子未击穿时的反向电流,这个值越小,管子的单向导电性越好

D.极间电容:PN结存在扩散电容和势垒电容,极间电容是反映二极管中PN結电容效应的参数,它是扩散点燃和势垒电容之和

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第3题
理想二极管的特点是正向导通时管压降为(),反向截止时反向电流为()。
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第4题
二极管正向导通时,压降很小,硅管 0.2- 0.3V,锗管0.5- 0.7V。()

二极管正向导通时,压降很小,硅管 0.2- 0.3V,锗管0.5- 0.7V。()

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第5题
二极管正向导通时,正向压降较低,硅管0.3-0.5V,锗管0.5-0.7V。()
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第6题
硅二极管正向导通时,其导通压降约为0.7V左右。()
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第7题
二极管正向导通时的正向电压值称为管压降,一般小功率硅管的管压降可为()V。

A.0.6

B.0.7

C.0.8

D.1.0

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第8题
理想运放组成下图电路,已知运放输出电压为±12V,二极管正向导通压降为0.7V,发光二极管导通压降为1.4V,试回答

理想运放组成下图电路,已知运放输出电压为±12V,二极管正向导通压降为0.7V,发光二极管导通压降为理想运放组成下图电路,已知运放输出电压为±12V,二极管正向导通压降为0.7V,发光二极管导通压降为

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第9题
硅晶体二极管的正向导通压降比锗二极管的正向导通压降()。

A.大

B.小

C.相等

D.无法判断

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第10题
硅二极管的正向导通压降比锗二极管的()。

A.大

B..小

C.相等

D.无法判定

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