题目内容（请给出正确答案）

[主观题]

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：I，DRAM芯片的集成度比SRAM高II，DRAM芯片的成本比SRAM高II

I，DRAM芯片的速度比SRAM快Ⅳ，DRAM芯片工作时需要刷新，SRAM芯片工作时不需要刷新通常情况下，错误的是（）。

A．I和II

B．II和III

C．III和Ⅳ

D．I和Ⅳ

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更多“下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：I，DRAM芯…”相关的问题

第1题

下面是有关DRAM和sRAM存储器芯片的叙述： Ⅰ．DRAM存储单元的结构比sRAM简单 Ⅱ．DRAM比SRAM成本高 Ⅲ．DRAM比SRAM速度快 Ⅳ．DRAM要刷新，SRAM不需刷新其中正确的是______。

A.Ⅰ和Ⅱ

B.Ⅱ和Ⅲ

C.Ⅲ和Ⅳ

D.Ⅰ和Ⅳ

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第2题

下面有关存储器的叙述中,错误的是（)。

A.存储器都采用随机存取方式进行读写

B.ROM芯片属于半导体随机存储器芯片

C.SRAM是半导体静态随机访问存储器,可用作cache

D.DRAM是半导体动态随机访问存储器,可用作主存

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第3题

下面是关于DRAM和SRAM存储器芯片的叙述： Ⅰ．SRAM比DRAM集成度高 Ⅱ．SRAM比DRAM成本高 Ⅲ．SRAM比DRAM速度快 Ⅳ．SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新其中正确的叙述是______。

A.Ⅰ和Ⅱ

B.Ⅱ和Ⅲ

C.Ⅲ和Ⅳ

D.Ⅰ和Ⅳ

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第4题

下面关于SRAM、DRAM存储器芯片的叙述中，正确的是______。

A.SRAM和DRAM都是RAM芯片，掉电后所存放的内容会丢失

B.SRAM的集成度比DRAM高

C.DRAM的存取速度比SRAM快

D.CPU中的cache既可用SRAM构成也可用DRAM构成

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第5题

具有（行地址选通)和（列地址选通)信号引脚的半导体存储器芯片是（)。

A.SRAM

B.DRAM

C.EOROM

D.FlashMemory

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第6题

下列半导体存储器中，基于FLASH芯片的是（)。

A.RAM

B.DRAM

C.SRAM

D.RAMNon-volatile

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第7题

试比较SRAM、DRAM、FlashMemory的性能特点。若某应用设计需要一种既可高速改写，又能在掉电时保存数

据的存储器，可采用哪类芯片或哪种技术？

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第8题

下面有关ROM和RAM的叙述中,错误的是（)。

A.RAM是可读可写存储器,ROM是只读存储器

B.ROM和RAM都采用随机访问方式进行读写

C.系统的主存由RAM和ROM组成

D.系统的主存都用DRAM芯片实现

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第9题

某机器的寻址空间为64K，数据总线为8位。现有8K×8位SRAM芯片，SRAM有CS和WE控制信号；4K×8位DRAM芯片

，DRAM有CS、wE等控制信号，数据总线是双向。CPU有MERQ、R／W等控制信号(表示低电平有效)。 (1)写出DRAM控制器内部的逻辑部件名称； (2)从0000H开始安排32K×8位SRAM，从A000H安排8K×8位DRAM，画出CPU的DRAM存储器连接电路图(包括74LS138等组成的片选电路、DRAM控制器，DRAM控制器仅要求画出输入、输出信号)； (3)设DRAM读／写周期为0．5μs，CPU在1μs内要访问内存1次或2次，平均1μs访存约1．2次，刷新周期为2ms。有哪几种刷新方式，采用哪种刷新方式比较合理，并说明采用的刷新方式的时间参数和理由。

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第10题

下列4条叙述中，正确的一条是（）。

A.为协调CPU与RAM间速度差，在CPU芯片中集成了高速缓存

B.PC机在使用过程中突然断电，SRAM中存储的信息不会丢失

C.PC机在使用过程中突然断电，DRAM中存储的信息不会丢失

D.CPU可以直接处理外存储器中的信息

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