题目内容
(请给出正确答案)
[单选题]
下列不是半导体异质结太阳电池的是()
A.硫化亚铜一硫化镉太阳电池
B. 蹄化镉太阳电池
C. 砷化稼太阳电池
D. 非晶硅薄膜太阳电池
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A.硫化亚铜一硫化镉太阳电池
B. 蹄化镉太阳电池
C. 砷化稼太阳电池
D. 非晶硅薄膜太阳电池
A.在异质结的两种半导体材料界面处存在晶格失配
B.由于两种材料热膨胀系数不同,在高温下引入界面态
C.化合物半导体构成的异质结中,由于成分元素的互扩散,引入界面态
D.半导体材料的表面吸附
A.在异质结的两种半导体材料界面处存在晶格失配
B.由于两种材料热膨胀系数不同,在高温下引入界面态
C.化合物半导体构成的异质结中,由于成分元素的互扩散,引入界面态
D.材料表面的化学吸附
E.材料表面的原子重构
A.此时异质结界面两边的状态完全由界面态电荷决定,与功函数等没有关系
B.对于 n 型半导体,在半导体表面形成很薄的多子积累层
C.对于 p 型半导体,在半导体表面形成很厚的耗尽层
D.对于n型半导体,在半导体表面形成很厚的耗尽层
E.对于p 型半导体,在半导体表面形成很薄的多子积累层
A.两种禁带宽度不同或掺杂类型不同的超薄层周期性地重叠,每层材料(势阱和势垒)的厚度都很薄,都可以和电子的德布罗意波长相比,称这种结构为超晶格结构
B.两种不同的半导体薄层周期性地重叠,若窄带材料(势阱)的厚度很小,可以和电子的德布罗意波长相比,而宽带材料(势垒)的厚度较大,称这种结构为超晶格结构
C.能够对电子(空穴)的运动产生某种约束,使其能量量子化的势场就是超晶格结构
D.双异质结形成的结构,如AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs结构