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题目内容 (请给出正确答案)
[多选题]

可控硅导通和截止两个工作状态和()等因素有关。

A.阳极电压

B.阳极电流

C.可控硅内阻

D.控制极电流

E.导通角

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第1题
BC021可控硅从截止状态到导通需要一定的时间。()
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第2题
自激多谐振荡器始终工作在两个暂稳态的周期性交替之中,状态每改变一次,BG1和BG2的导通或截止就改变一次,它们集电极电位就跳变一次。()
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第3题
单向可控硅由导通变为截止要满足()条件。

A阳极和阴极间加反向电压

B升高阳极电压

C降低阴极电压

D断开控制电路

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第4题
以下关于MOS倒相器的说法不正确的是()。

A.NMOS漏极接VDD,源极加一个负载电阻,即构成一个倒相器

B.当VGS=0,NMOS倒相器处于截止状态,VDS接近VDD

C.当NMOS管导通时,输出电压VD下降

D.管子工作于截止与导通两个状态,故倒相器起了开关的作用

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第5题
开关式稳压电路,电路中的调整管工作在开关状态,即调整管主要工作在和两种状态()。

A.线性放大/截止

B.饱和导通/截止

C.线性放大/反向导通

D.饱和导通/反向导通

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第6题
以下各项中不是CMOS倒相器的特点的是()。

A.无论导通态还是截止态,静态功耗都很小

B.两个管子的跨导均可以做得较大,使导通时等效电阻小

C.在导通和截止态转变过程中,瞬态电流会增大,一定会产生很大的总功耗

D.开关时间短,可以迅速完成状态转换

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第7题
稳压二极管的正常工作状态是()。A.导通状态;B.截止状态;C.反向击穿状态;D.任意状态。

稳压二极管的正常工作状态是()。

A.导通状态;

B.截止状态;

C.反向击穿状态;

D.任意状态。

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第8题
在晶体管逆变器中是利用晶体管工作于导通和截止状态来代替K1和K2的()和()。
在晶体管逆变器中是利用晶体管工作于导通和截止状态来代替K1和K2的()和()。

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第9题
晶体三极管发射结处于正偏,集电结处反偏,则三极管的工作状态为()。A.饱和B.截止C.放大D.导通

晶体三极管发射结处于正偏,集电结处反偏,则三极管的工作状态为()。

A.饱和

B.截止

C.放大

D.导通

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第10题
要使导通可控硅截止,唯一的办法就是减少阳极电流使之不足以维护正反馈的过程。()
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