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[主观题]

场效应管的电路符号如下图所示,其中耗尽型NMOS场效应管的电路符号为()。

场效应管的电路符号如下图所示,其中耗尽型NMOS场效应管的电路符号为( )。

场效应管的电路符号如下图所示,其中耗尽型NMOS场效应管的电路符号为()。场效应管的电路符号如下图所

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第1题
耗尽型场效应管组成的恒流源电路如下图所示,RL变化时,iL几乎不变。已知场效应管的IDSS=4mA,UGS(off)=-4V,求

耗尽型场效应管组成的恒流源电路如下图所示,RL变化时,iL几乎不变。已知场效应管的IDSS=4mA,UGS(off)=-4V,求

耗尽型场效应管组成的恒流源电路如下图所示,RL变化时,iL几乎不变。已知场效应管的IDSS=4mA,

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第2题

如下图所示的电路符号代表管()。

如下图所示的电路符号代表管()。

A.耗尽型PMOS

B.耗尽型NMOS

C.増强型PMOS

D.增强型NMOS

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第3题
下图所示场效应管输出特性曲线,其管子的类型是( )。下图所示场效应管输出特性曲线,其管子的类型是( )。

A.NMOS增强型

B.NMOS耗尽型

C.PMOS增强型

D.PMOS耗尽型

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第4题
由N沟道结型场效应管构成的电路如下图(a)所示,已知场效应管的IDSS=2mA,UGS(off)=-3.5V。试:

由N沟道结型场效应管构成的电路如下图(a)所示,已知场效应管的IDSS=2mA,UGS(off)=-

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第5题
电路如下图所示,场效应管的互导为gm,而rd很大;双极型三极管的电流放大系数为β和输入电阻为rbe。试解答: (1)

电路如下图所示,场效应管的互导为gm,而rd很大;双极型三极管的电流放大系数为β和输入电阻为rbe。试解答:

(1)T1和T2各自组成的电路属于什么组态?

(2)写出总的电压放大倍数电路如下图所示,场效应管的互导为gm,而rd很大;双极型三极管的电流放大系数为β和输入电阻为rbe。的表达式。

电路如下图所示,场效应管的互导为gm,而rd很大;双极型三极管的电流放大系数为β和输入电阻为rbe。

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第6题
试画出P沟道耗尽型MOS场效应管的结构示意图及电路符号。
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第7题
如何从电路符号及特性曲线上区别耗尽型和增强型场效应管?
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第8题
场效应管放大电路如下图所示,已知gm=2mS,

场效应管放大电路如下图所示,已知gm=2mS,场效应管放大电路如下图所示,已知gm=2mS,场效应管放大电路如下图所示,已知gm=2mS,  场效应管放大电路如下图所示,已知gm=2mS,场效应管放大电路如下图所示,已知gm=2mS,

场效应管放大电路如下图所示,已知gm=2mS,场效应管放大电路如下图所示,已知gm=2mS,

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第9题
场效应管放大电路如下图所示。

场效应管放大电路如下图所示。 场效应管放大电路如下图所示。 场效应管放大电路如下图所示。

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第10题
电路如下图所示,已知场效应管gm=2mS,试求:

电路如下图所示,已知场效应管gm=2mS,试求:

电路如下图所示,已知场效应管gm=2mS,试求:电路如下图所示,已知场效应管gm=2mS,试求:

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