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第1题
有两个晶体管分别接在电路中，当工作在放大状态时测得三个管脚的电位(对"地")分别如
有两个晶体管分别接在电路中，当工作在放大状态时测得三个管脚的电位（对"地")分别如
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下表所列，试判别晶体管的三个电极及类型(硅管，锗管，NPN型管，PNP型管)。
第3题
对放大电路中的晶体管进行测量，测得各电极电位如下图所示。试分别判断晶体管的类型（是NPN管还是PNP管、是
对放大电路中的晶体管进行测量，测得各电极电位如下图所示。试分别判断晶体管的类型(是NPN管还是PNP管、是硅管还是锗管)，并区分电极E、B、C。
第4题
对于单向P控制型可控硅而言，从结构原理上可将其分成是（）三极管互联。A.二个NPNB.二个PNPC.一个NP
对于单向P控制型可控硅而言，从结构原理上可将其分成是（）三极管互联。
A.二个NPN
B.二个PNP
C.一个NPN,一个PNP,阳极接PNP的C极
D.一个NPN,一个PNP,阳极接NPN的C极
第5题
在放大电路中测得晶体管各电极对地的直流电压如下所列，确定它们各为哪个电极，晶体管是NPN型还是PNP型？ A管
在放大电路中测得晶体管各电极对地的直流电压如下所列，确定它们各为哪个电极，晶体管是NPN型还是PNP型？
A管：Ux=12V，Uy=11.7V，Uz=6V
B管：Ux=-5.2V，Uy=-1V，Uz=-5.5V
第6题
NPN型和PNP型晶体管的区别是（)。A.由两种不同材料的硅和锗制成B.掺入的杂质元素不同C.P区和N区
A.由两种不同材料的硅和锗制成
B.掺入的杂质元素不同
C.P区和N区的位置不同
第7题
使晶体管工作在放大区的外部偏压条件为发射结______，集电结______。则对于NPN管和PNP管而言，比较其3个电极的
电位φE、φB和φC的高低应分别满足______和______的关系。
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第8题
(1)在图LP4-58所示的F007集成运放内部电路中，若设各NPN型管的β=250，PNP型管的β=50，两种类型晶
（1)在图LP4-58所示的F007集成运放内部电路中，若设各NPN型管的β=250，PNP型管的β=50，两种类型晶
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体三极管的|VA|均为100V，|VBE(on)|=0.7V，并设T23的输入电阻为9.1MΩ，IC17=550μA，|VCC|=|VEE|=15V，试求T16、T17组成的中间增益级的输入电阻R1和电压增益Av。
(2)利用上题提供的管子参数，试求F007集成运放内部电路中输入差分级电路的输入电阻Rid和互导增益Ag。设各管rce忽略不计。已知差分放大器的偏置电流为20μA。
