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[主观题]

场效应管共源极电路如图题4.11.3所示,其中VDD=20V,Rg1=300千欧,Rg2=15千欧,,Rg3

=2M,Rd=10千欧,R=2千欧,Cb1=1μF,Cb2=1μF,RL=100千欧,。试运用SPICE进行如下分析计算:(1)求电路的静态工作点;(2)输入vi频率为1kHz,幅值为10mV的正弦信号,观察vi及v0的波形;(3)求小信号电压增益,电流增益,输入电阻及输出电阻。

场效应管共源极电路如图题4.11.3所示,其中VDD=20V,Rg1=300千欧,Rg2=15千欧,

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第1题
电路如图题4.4.1a(主教材图4.4.6a)所示。已知Re1=10千欧,Rs1=Rm=0.5千欧,Rg1=
电路如图题4.4.1a(主教材图4.4.6a)所示。已知Re1=10千欧,Rs1=Rm=0.5千欧,Rg1=

165千欧,Rg2=35千欧,VTS=0.8V,Kn=1mA/V2, 场效应管的输出电阻rds=∞(λ=0),电路静态工作点处VGS=1.5V。试求图题4.4.1a所示共源极电路的小信号电压增益Ar=v0/vi、源电压增益Ads=v0/ve、输入电阻Ri和输出电阻R0

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第2题
电路如图题5.2.6所示,设场效应管的参数为gm1=0.8mS,λ1=λ2=0.01V-1。场效应管的静态工作电流ID=0.2mA。试求该

电路如图题5.2.6所示,设场效应管的参数为gm1=0.8mS,λ12=0.01V-1。场效应管的静态工作电流ID=0.2mA。试求该共源放大电路的电压增益。

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第3题
电路如图题4.6.2(主教材图4.6.8)所示,设场效应管的参数为gm1=0.7mS,λ12=0.01V卐
电路如图题4.6.2(主教材图4.6.8)所示,设场效应管的参数为gm1=0.7mS,λ12=0.01V卐

电路如图题4.6.2(主教材图4.6.8)所示,设场效应管的参数为gm1=0.7mS,λ12=0.01V-1。场效

应管静态工作时的偏置电流IREF=0.2mA。试求该CMOS共源放大电路的电压增益Ae

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第4题
源极跟随器电路如图题4.5.2所示,场效应管参数为Kn=mA/V2,VTS=1.2/V,λ=0。电路参数
为VDD=VSS=5V,Rg=500千欧,RL=4千欧。若电流源I=1mA,试求小信号电压增益Ag=v0/v1和输出电阻R0

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第5题
源极跟随器电路如图题4.5.3所示。VDD=VSS=5V。电流源I=5mA,Rg=200千欧,RL=1千欧
,场效应管参数为VTP=-2V,Kp=5mA/V2,λ=0。试求:(1)电路的输出电.阻和输入电阻;(2)小信号电压增益。

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第6题
电路如图题4.3.2所示,设R1=R2=100千欧, VDD=5V,Rd=7.5千欧, VTP= -1V,K
P=0.2 mA/V2。试计算图题4.3.2所示P沟道增强型MOSFET共源极电路的漏极电流ID和漏源电压VDS

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第7题
共源极放大电路如下图所示,已知场效应管gm=1.2mS,画出该电路交流通路和交流小信号等效电路,求Au、Ri、Ro。

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第8题
场效应管共漏极放大电路如图2.5.8所示,已知工作点处的跨导gm=0.9mS,求电压增益Av、输入电阻Ri和输
出电阻Ro。

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第9题
电路如图题4.4.2(主教材图4.4.8)所示。 设电流源电流I=0.5mA,VDD=VSS=5V,Rd=9千欧,
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Cs很大,对信号可视为短路。场效应管的VTS=0.8V,KN=1mA/V,输出电阻rds=∞。试求电路的小信号电压增益AF

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第10题
电路如图题7.2.3(主教材图7.2.2)所示的源极耦合差分式放大电路中,电流源输出电阻(图中未画出),
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第11题
电路如图题4.5.1(主教材4.5.1a)所示,设电路参数为VDD=12V,Rg1=150千欧,Rg2=450千
电路如图题4.5.1(主教材4.5.1a)所示,设电路参数为VDD=12V,Rg1=150千欧,Rg2=450千

欧,Rm=1千欧,Rxi=10千欧。场效应管参数为VTS=1.5V,Kn=2mA/V2,λ=0。试求(1)静态工作点Q;(2)电压增益Ap和源电压增益Aex;(3)输入电阻Ri和输出电阻R0

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