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第1题
动态功耗产生原因：由于对电容充电以及在电源和地之间有一暂时的电流通路造成的，只发生在开关的瞬间，因此动态功耗正比于()。
动态功耗产生原因：由于对电容充电以及在电源和地之间有一暂时的电流通路造成的，只发生在开关的瞬间，因此动态功耗正比于（)。
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第6题
在图P3.8电路中，若CMOS反相器的电源电压VDD＝5V，负载电容CL＝100pF，静态电源电流为20μA。当输入为1MHz矩形波时
在图P3.8电路中，若CMOS反相器的电源电压VDD＝5V，负载电容CL＝100pF，静态电源电流为20μA。当输入为1MHz矩形波时测得电源电流的平均值为o.72mA，试求反相器功耗电容Cpd的数值。
第7题
动态RAM的基本存储电路，是利用MOS管栅-源极之间电容对电荷的暂存效应来实现信息存储的。为了避免所存信息的丢失，必须定时给电容补充电荷，这一操作称为（）。
A.刷新
B.存储
C.充电
D.放电
第8题
在电阻和电容组成的充电回路中，充电的快慢决定于：A．充电电源电压的高低B．只决定于电容量的大小C．
在电阻和电容组成的充电回路中，充电的快慢决定于：
A．充电电源电压的高低
B．只决定于电容量的大小
C．只决定于电阻值的大小
D．决定于电阻值和电容量乘积的大小
第11题
在图3－7中，U=20V，R=7kΩ，C=0.47μF。电容C原先不带电荷。试求在将开关S合上瞬间电容和电阻上的电压uC和uR以及充
在图3-7中，U=20V，R=7kΩ，C=0.47μF。电容C原先不带电荷。试求在将开关S合上瞬间电容和电阻上的电压uC和uR以及充电电流i。经过多少时间后电容元件上的电压充电到12.64V？
