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[主观题]

二极管正向偏置时,其正向导通电流由___载流子的___运动形成。

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第1题
二极管正向导通时,正向压降较低,硅管0.3-0.5V,锗管0.5-0.7V。()
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第2题
晶闸管正向阻断时,阳极与阴极间只有很小的()。

A.正向漏电流

B.反向漏电流

C.正向导通电流

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第3题
硅二极管正向导通时,其导通压降约为0.7V左右。()
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第4题
低压稳压电路如图题3.4.17所示。已知5V≤V1≤10V,保证二极管正向导通压降为0.7V的最小电流I≇

低压稳压电路如图题3.4.17所示。已知5V≤V1≤10V,保证二极管正向导通压降为0.7V的最小电流IDmin=2mA,二极管的最大整流电流IDmax=15mA。利用恒压降模型,在保持v0=0.7V时,讨论电阻R和RL的取值范围。

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第5题
硅二极管正向导通,其管压降为()。A.0.7VB.0.3VC.1VD.0.1V

硅二极管正向导通,其管压降为()。

A.0.7V

B.0.3V

C.1V

D.0.1V

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第6题
半导体二极管的特性为反向导通,正向截止()。

半导体二极管的特性为反向导通,正向截止()。

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第7题
二极管完全导通时在二极管两端存在正向导通压降,硅二极管正向导通压降为()。

A.0.1~0.3V

B.0.3~0.5V

C.0.6~0.7V

D.0.7~1V

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第8题
稳压二极管是利用其伏安特性的()特性进行稳压的。A.正向起始B.正向导通C.反向D.反向击穿

稳压二极管是利用其伏安特性的()特性进行稳压的。

A.正向起始

B.正向导通

C.反向

D.反向击穿

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第9题
二极管在正向偏置和反向偏置时分别处于()状态。

A.导通、导通

B.截止、截止

C.截止、导通

D.导通、截止

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第10题
NMOS构成的开关电路如图2.3.4所示,其参数为Kn=4 mS,VT=0.8 V。该电路用于使发光二极管导通或截止。
二极管的正向压降为VF=1.5 V。如果输入vI=5 V时二极管导通电流为12 mA,试确定此时Rd及vDS的数值。

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第11题
已知OC反相器驱动发光二极管的电路如图2.3.12所示。OC门的参数VOL=0.3 V,IOL(max)=8 mA,发光二极

已知OC反相器驱动发光二极管的电路如图2.3.12所示。OC门的参数VOL=0.3 V,IOL(max)=8 mA,发光二极管正向导通压降VF=1.6 V,正向电流ID=5 mA。试确定上拉电阻R的值。

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