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棒状单晶硅(经掺杂、直径63mm)

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第4题
掺有微量硼的单晶硅棒(硅含量99.999%),直径5厘米,用于制造半导体元器件

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第5题
经掺杂用于电子工业的硒晶体棒
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第6题
硅是半导体产业中最常用的半导体材料,以下()选项属于硅材料的优点。

A.易于进行腐蚀加工

B.带隙大小适中、硅表面上很容易制备高质量的介电层SiO2

C.易于通过沉积工艺制备出单晶硅、多晶硅和非晶硅薄膜材料

D.易于进行n型和p型掺杂

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第7题
垂直接地体采用离子接地棒时,应采用垂直埋设或者“L”状敷设,其顶端埋设深度不高于水平接地体,钻井深度应是离子接地棒长度的1.5倍,钻井直径应是离子棒直径的3倍。()
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第8题
关于扩散硅式压力变送器下列描述错误的是()。

A.扩散硅芯片由单晶硅经过采用集成工艺技术经过掺杂、扩散制成

B.其硅片上沿单晶硅的特点晶向,制成应变电阻,构成惠斯凳电桥

C.集力敏与力电转换检测于一体

D.根据压阻效应,将压力转换成破坏惠斯凳电桥桥路平衡的电流,再根据电流变化与压力大小的非线性关系,推算压力大小

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第9题
单晶硅硅片因为使用硅棒原因,四周有圆形大倒角,而多晶硅一般采用小倒角。()
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