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[判断题]

当晶体管的发射结正偏的时候，晶体管一定工作在放大区。（)

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第1题

晶体管的发射结正偏时，晶体管一定工作在放大状态。（)

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第2题

当晶体管发射结正偏，晶体管工作在放大区。（)

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第3题

当晶体管工作于饱和状态时，其（)。

A.发射结正偏，集电结正偏

B.发射结反偏，集电结反偏

C.发射结正偏，集电结反偏

D.发射结反偏，集电结正偏

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第4题

晶体管处于饱和状态时，它的集电结（)偏，发射结（)偏。

A.正/反

B.反/正

C.正/正

D.反/反

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第5题

如图所示,根据三极管的特性曲线，以下说法正确的是（)。

A.截止状态时晶体管的发射结反偏

B.截止状态时晶体管的发射结正偏

C.饱和状态时发射结正偏

D.饱和状态时集电结正偏

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第6题

为使晶体管可靠地处于截止状态时，它的集电结（)偏，发射结（)偏。

A.正/反

B.反/正

C.正/正

D.反/反

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第7题

晶体管具有放大作用时，它的集电结（)偏，发射结（)偏。

A.正/反

B.反/正

C.正/正

D.反/反

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第8题

晶体管处于饱和状态时，集电结和发射结的偏置情况为（)。

A.发射结反偏，集电结正偏

B.发射结、集电结均反偏

C.发射结、集电结均正偏

D.发射结正偏、集电结反偏

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第9题

晶体管能够进行电流放大作用的外部条件是（)。

A.发射结正偏，集电结正偏

B.发射结反偏，集电结反偏

C.发射结正偏，集电结反偏

D.基极电压不为零

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第10题

双极型晶体管具有电流放大能力的条件不包括（)。

A.基区宽度足够小

B.发射结正偏

C.集电结反偏

D.发射结及集电结的结电阻足够小

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第11题

引起晶体管基区宽度调制效应的主要原因是（)。

A.发射结正偏电压变化

B.集电结反偏电压变化

C.基区少子浓度梯度变化

D.发射结势垒宽度变化

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