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第1题
已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，分别画出uDS=3V、6V、9V时的转移特性曲线。
已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，分别画出uDS=3V、6V、9V时的转移特性曲线。
第2题
场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为()场效应管。A.P沟道增强型MOS型B.P沟道耗尽型MOS
场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为（)场效应管。A.P沟道增强型MOS型B.P沟道耗尽型MOS
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场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为()场效应管。
A.P沟道增强型MOS型
B.P沟道耗尽型MOS型
C.N沟道增强型MOS型
D.N沟道耗尽型MOS型
E.N沟道结型
F.P沟道结型
第3题
一个场效应管的转移特性曲线如图所示，试问：（1)它是N沟道还是P沟道的FET？（2)它的夹断电压uP
一个场效应管的转移特性曲线如图所示，试问：
(1)它是N沟道还是P沟道的FET？
(2)它的夹断电压uP和饱和漏极电流IDSS各是多少？
第4题
图4．5．17所示为一个场效应管混频器。场效应管的转移特性为 式中，ID为漏极电流；IDSS是栅压为零
图4．5．17所示为一个场效应管混频器。场效应管的转移特性为
式中，ID为漏极电流；IDSS是栅压为零时的漏极电流；VP为夹断电压；VGS为栅源 电压。 设直流偏置电压为VGS0；信号电压为vs=Vssinωst；本振电压v0=V0sinω0t。 试证明： 1)此混频器能完成混频作用；
第5题
下图为一带自举电路的高输入阻抗射极跟随器。试定性说明：（1)电压增益接近1；（2)通过C3引入自举可减少漏栅电容
下图为一带自举电路的高输入阻抗射极跟随器。试定性说明：(1)电压增益接近1；(2)通过C3引入自举可减少漏栅电容对输入阻抗的影响。(3)通过C2引入自举大大提高了放大器的输入电阻。
第6题
已知FET的特性曲线如下图所示，试判断它是哪一类场效应管？开启电压VTH或夹断电压VP约为多少？饱和电流IDSS约
已知FET的特性曲线如下图所示，试判断它是哪一类场效应管？开启电压VTH或夹断电压VP约为多少？饱和电流IDSS约为多少？
第8题
各种类型场效应管的输出特性曲线如图LT3－2（a)、（b)、（c)所示，试分别指出各FET管的类型、符号、VGS（th
各种类型场效应管的输出特性曲线如图LT3-2(a)、(b)、(c)所示，试分别指出各FET管的类型、符号、VGS(th)或VGS(off)，并画出|VDS|=5 V时相应的转移特性曲线。
第9题
用欧姆表的两测试棒分别连接JFFT的漏极和源极,测得阻值为R1,然后将红棒(接负电压)同时与棚极相连,发现欧姆表上阻值仍近似为R1,再将黑棒(接正电压)同时与栅极相连,得欧姆表上阻值为R2,且R2＜R1,试确定该场效应管为N沟道还是P沟道.
用欧姆表的两测试棒分别连接JFFT的漏极和源极,测得阻值为R1,然后将红棒（接负电压)同时与棚极相连,发现欧姆表上阻值仍近似为R1,再将黑棒（接正电压)同时与栅极相连,得欧姆表上阻值为R2,且R2＜R1,试确定该场效应管为N沟道还是P沟道.
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第10题
下图为某一煤层底版等高线圈，准备在－210m水平开掘AB方向的岩石平巷，试判断该巷道与断层和煤层的相遇点。
下图为某一煤层底版等高线圈，准备在-210m水平开掘AB方向的岩石平巷，试判断该巷道与断层和煤层的相遇点。
