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在本征半导体中掺入微量的杂质(某种元素)就形成了杂质半导体。()

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第1题
本征半导体中掺入微量______价元素可形成P型半导体,其多数载流子为______。
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第2题
P型半导体是在本征半导体中掺入()价杂质形成的,其多子是(),少子是()。
P型半导体是在本征半导体中掺入()价杂质形成的,其多子是(),少子是()。

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第3题
300K时,在本征半导体中掺入施主杂质形成N型半导体,欲使得锗中的费米能级低于导带底能量O.15eV
,施主掺杂陈度ND为()。

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第4题
本征半导体中掺入适量的施主杂质可以形成P型半导体。()

本征半导体中掺入适量的施主杂质可以形成P型半导体。()

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第5题
在本征半导体中掺入3价元素就成为()型半导体。

A.P型半导体

B.N型半导体

C.PN结

D.纯净半导体

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第6题
P型半导体是在本征半导体中加入微量的()元素构成的。A.三价;B.四价;C.五价;D.六价。

P型半导体是在本征半导体中加入微量的()元素构成的。

A.三价;

B.四价;

C.五价;

D.六价。

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第7题
硅的禁带宽度Eg=1.1eV,当掺入少量杂质磷(△ED=0.045eV)后,产生一杂质能级,试画出这一杂质半导体的能带图?并

硅的禁带宽度Eg=1.1eV,当掺入少量杂质磷(△ED=0.045eV)后,产生一杂质能级,试画出这一杂质半导体的能带图?并分别求出该杂质半导体的本征吸收与杂质吸收的长波限?

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第8题
一块本征硅半导体,掺入五价元素砷,浓度为1014cm-3,试分别求出T=300K、500K时自由电子和空穴的热平衡浓度值,

一块本征硅半导体,掺入五价元素砷,浓度为1014cm-3,试分别求出T=300K、500K时自由电子和空穴的热平衡浓度值,并指出相应半导体类型。

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第9题
在本征半导体中加入()元素可形成N型半导体。A.五价B.四价C.三价

在本征半导体中加入()元素可形成N型半导体。

A.五价

B.四价

C.三价

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第10题
在本征硅半导体中,掺人浓度为5x1015cm-3的受主杂质,试指出T=300K时所形成的杂质半导体类型.若再掺人浓度为1016cm-3的施主杂质,则将为何种类型半导体?若将该半导体温度分别上升到T=500K、600K,试分析为何种类型半导体.

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第11题
杂质半导体中少数载流子的浓度______本征半导体中载流子浓度。 A.大于 B.等于 C.小于

杂质半导体中少数载流子的浓度______本征半导体中载流子浓度。

A.大于 B.等于 C.小于

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