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[主观题]
绝大多数的高电阻率半导体，受光照射吸收光子能量后，产生电阻率降低而易于导电的现象称为（)。
绝大多数的高电阻率半导体，受光照射吸收光子能量后，产生电阻率降低而易于导电的现象称为()。
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A.该系统可能应用光敏电阻;光敏电阻的基本原理是在光线作用下，光敏电阻的电阻率随光的强度不同而发生改变，即在特定波长的光照的情况下，光敏电阻的阻值会随光的强度的变化而变化
B.该系统可能应用光敏电阻;光敏电阻的基本原理是在光线作用下，光敏电阻的电阻率随光的波长不同而发生改变，即在特定频率的光照的情况下，光敏电阻的阻值会随光的波长的变化而变化
C.该系统的基本原理是通过特定光源照射，不同浊度的水对光源的吸收状况不同，使得光接收装置接收到不同强度的光，从而可以通过接收光的不同来体现水的浊度
D.该系统的基本原理是通过特定光源照射，不同浊度的水对光源的反射状况不同，使得光接收装置接收到不同强度的光，从而可以通过接收光的不同来体现水的浊度
A.热
B.光
C.射线
A.同一半导体对不同波长的光具有相同的吸收系数
B.任一波长的光照射在半导体上都可以产生电子-空穴对
C.在杂质半导体中不可能发生本征吸收
D.通过在半导体的端面加谐振腔可以提高半导体对光的吸收
A.只要用光照射半导体材料，就可以产生非平衡载流子
B.入射光子能量必须大于等于半导体的禁带宽度
C.非平衡电子和空穴成对产生
D.受到入射能量的激发，价带电子跃迁到导带，产生非平衡载流子
光固化复合树脂固化后哪个部位固化程度最好()
A．受光照射的表面
B．受光照射的表面下0．5～4．0mm处
C．受光照射的表面下6mm处
D．受光照射的表面下8mm处
将下列半导体材料的特性参数与其性质一一对应。
1).禁带宽度
A、反映材料的导电能力
B、反映半导体材料在外界作用(如光或电场)下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性
C、反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量
2).电阻率、载流子迁移率
A、反映材料的导电能力
B、反映半导体材料在外界作用(如光或电场)下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性
C、反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量
3).非平衡载流子寿命
A、反映材料的导电能力
B、反映半导体材料在外界作用(如光或电场)下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性
C、反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量
