题目内容
（请给出正确答案）
[主观题]
将下列太阳电池种类一一对应。1).化合物晶体A、砷化镓B、染料敏化C、铜铟镓硒2).化合物薄膜A、砷化
将下列太阳电池种类一一对应。
1).化合物晶体
A、砷化镓
B、染料敏化
C、铜铟镓硒
2).化合物薄膜
A、砷化镓
B、染料敏化
C、铜铟镓硒
3).有机染料
A、砷化镓
B、染料敏化
C、铜铟镓硒
查看答案
如果结果不匹配，请 联系老师 获取答案
题目内容
（请给出正确答案）
如果结果不匹配，请 联系老师 获取答案
题目内容
（请给出正确答案）
将下列太阳电池种类一一对应。
1).化合物晶体
A、砷化镓
B、染料敏化
C、铜铟镓硒
2).化合物薄膜
A、砷化镓
B、染料敏化
C、铜铟镓硒
3).有机染料
A、砷化镓
B、染料敏化
C、铜铟镓硒
如果结果不匹配，请 联系老师 获取答案
更多“将下列太阳电池种类一一对应。1).化合物晶体A、砷化镓B、染…”相关的问题
将下列薄膜太阳电池种类一一对应。
1).硅薄膜
A、非晶硅
B、高分子
C、碲化镉
2).化合物薄膜
A、非晶硅
B、高分子
C、碲化镉
3).有机染料
A、非晶硅
B、高分子
C、碲化镉
将下列太阳电池种类与实验室最大效率一一对应。
1).单晶硅太阳电池
A、12%
B、20.4%
C、25%
2).多晶硅太阳电池
A、12%
B、20.4%
C、25%
3).非晶硅单结太阳电池
A、12%
B、20.4%
C、25%
将下列太阳电池种类与实验室最大效率一一对应。
1).多晶硅
A、11.83%
B、12%
C、20.4%
2).非晶硅单结
A、11.83%
B、12%
C、20.4%
3).非晶硅多结
A、11.83%
B、12%
C、20.4%
将下列硅太阳电池种类与工业化生产光电转换效率一一对应。
1).单晶硅
A、7～9%
B、15～17%
C、16～18%
2).多晶硅
A、7～9%
B、15～17%
C、16～18%
3).非晶硅
A、7～9%
B、15～17%
C、16～18%
将下列半导体材料种类与代表材料一一对应。
1).元素半导体
A、砷化镓
B、氧化物玻璃
C、硅
2).化合物半导体
A、砷化镓
B、氧化物玻璃
C、硅
3).无定形半导体材料
A、砷化镓
B、氧化物玻璃
C、硅
将下列半导体材料种类与代表材料一一对应。
1).山东元素半导体
A、砷化镓
B、氧化物玻璃
C、硅
2).化合物半导体
A、砷化镓
B、氧化物玻璃
C、硅
3).无定形半导体材料
A、砷化镓
B、氧化物玻璃
C、硅
将下列新型太阳电池的名称及其主要特性描述一一对应。
1).PREL
A、埋栅
B、高效背表面反射器
C、发射极钝化及背面局部扩散
2).BCSC
A、埋栅
B、高效背表面反射器
C、发射极钝化及背面局部扩散
3).BSR
A、埋栅
B、高效背表面反射器
C、发射极钝化及背面局部扩散
将下列影响太阳电池光电转换效率的主要因素一一对应。
1).反射遮荫等光学损失
A、温度及衰减损失
B、逆变器等电器损耗
C、封装材料透光率
2).载流子复合损失
A、温度及衰减损失
B、逆变器等电器损耗
C、封装材料透光率
3).连接转换等电学损失
A、温度及衰减损失
B、逆变器等电器损耗
C、封装材料透光率
将下列硅太阳电池发展历程一一对应。
1).1958年
A、硅太阳电池于1958年首先在航天器上得到应用
B、把表面钝化技术、降低接触复合效应、后处理提高载流子寿命、改进陷光效应引入到电池的制造工艺中
C、把背表面场、细栅金属化、浅结表面扩散和表面织构化开始引人到电池的制造工艺中
2).20世纪70年代初
A、硅太阳电池于1958年首先在航天器上得到应用
B、把表面钝化技术、降低接触复合效应、后处理提高载流子寿命、改进陷光效应引入到电池的制造工艺中
C、把背表面场、细栅金属化、浅结表面扩散和表面织构化开始引人到电池的制造工艺中
3).20世纪80年代初
A、硅太阳电池于1958年首先在航天器上得到应用
B、把表面钝化技术、降低接触复合效应、后处理提高载流子寿命、改进陷光效应引入到电池的制造工艺中
C、把背表面场、细栅金属化、浅结表面扩散和表面织构化开始引人到电池的制造工艺中
将下列太阳大气结构与名称一一对应。
1).光球
A、最外层
B、中层
C、最底层
2).色球
A、最外层
B、中层
C、最底层
3).日冕
A、最外层
B、中层
C、最底层
