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存储周期是50ns,存储器的访问频率是()次/秒。

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第1题
若某存储器存储周期为250ns,每次读出16位,则该存储器的数据传输率是()。A.4×106B/sB.4MB/sC.

若某存储器存储周期为250ns,每次读出16位,则该存储器的数据传输率是()。

A.4×106B/s

B.4MB/s

C.8×106B/s

D.8MB/s

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第2题
存储周期是指______。A.存储器的写入时间;B.存储器进行连续写操作允许的最短间隔时间;C.存储器进

存储周期是指______。

A.存储器的写入时间;

B.存储器进行连续写操作允许的最短间隔时间;

C.存储器进行连续读或写操作所允许的最短间隔时间;

D.指令执行时间。

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第3题
存储器的带宽是指________,如果存储周期为TM,存储字长为n位,则存储器带宽为________,常用的单位
是________或________。为了加大存储器的带宽可采用________和________。

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第4题
存储周期是指( )。

A.存储器的读出时间

B.存储器的写入时间

C.存储器进行连续读和写操作所允许的最短时间间隔

D.存储器进行一次读和写操作所用时间的统计平均值

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第5题
在下面描述的RISC指令系统基本概念中不正确的表述是()。

A.选取使用频率低的一些复杂指令,指令条数多

B.指令长度固定

C.指令格式种类多

D.只有取数/存数指令访问存储器

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第6题
存储器进行一次完整的读/写操作所需的时间,称为存储周期。()

存储器进行一次完整的读/写操作所需的时间,称为存储周期。()

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第7题
主存储器的性能指标主要是()、()、存储周期和存储器带宽。
主存储器的性能指标主要是()、()、存储周期和存储器带宽。

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第8题
若存储周期250ns,每次读出16位,则该存储器的数据传送率为( )。

A.4×106B/s

B.4MB/s

C.8×106B/s

D.8MB/s

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第9题
内存储器存储正在运行的程序和程序所需的数据,下列关于内存储器说法正确的是()

A.内存速度用进行一次读或写操作所花费的“访问时间”来描述

B.DRAM的主要参数有两个:存储容量和工作频率,工作频率反映了存储器读写单元的速度

C.动态存储器(DRAM)集成度低,生产成本高,一般用在比内存小得多的高速缓冲存储器等场合

D.断电后RAM中的内容全部丢失,目前使用的RAM多数为MOS型半导体集成电路

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第10题
若存储周期为250ns,每次读出32位,则该存储器的数据传输率为()。

A.4×106字节/秒

B.4M字节/秒

C.16×106字节/秒

D.8M字节/秒

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