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[单选题]

IGBT是MOSFET和GTR复合的产物，具有GTR的异通特性和MOSFET的驱动特性，下列哪项是它的特性。（)

A.功率小

B.开关频率低

C.通态压降高

D.损耗功率大

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第1题

开关电源的DC/DC变换器中，一般以下不作为功率开关管使用的是（)。

A.SCR

B.IGBT

C.MOSFET

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第2题

目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、以及两者混合管和等等（)。

A.晶闸管

B.可控硅

C.功率集成器件

D.晶体管

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第3题

下列器件中，不存在二次击穿现象的功率半导体器件是？（)

A.scr

B.mosfet

C.GT-R

D.Igbt

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第4题

1957年，美国通用电气公司研制出第一个（)，因电气性能和控制性能优越，其应用范围迅速扩大。

A:晶闸管

B:GTO

C:GTR

D:IGBT

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第5题

一号线电客车辅助逆变模块功率元件为（)。

A.GTO

B.GTR

C.IGBT

D.IPM

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第6题

IGBT相比MOSFET，其通态电阻较大，因而导通损耗也较大。（)

IGBT相比MOSFET，其通态电阻较大，因而导通损耗也较大。( )

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第7题

电力MOSFET及IGBT均为电压驱动型器件，其驱动电路是否需要提供驱动电流及驱动功率？

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第8题

IGBT的基本结构是由“双极型三极管BJT”和“MOS绝缘栅型场效应管”组成的（)电力电子器件。

A.结构复杂

B.复合

C.全控型

D.电压驱动式

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第9题

电力晶体管GTR内部电流是由（)形成的。A.电子B.空穴C.电子和空穴D.有电子但无空穴

电力晶体管GTR内部电流是由()形成的。

A.电子

B.空穴

C.电子和空穴

D.有电子但无空穴

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第10题

电力场效应管MOSFET是理想的（)控制器件。A.电压B.电流C.电阻D.功率

电力场效应管MOSFET是理想的()控制器件。

A.电压

B.电流

C.电阻

D.功率

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第11题

题图所示电路是用MOSFET构成的逻辑电路，已知RL=20kΩ，US=5V，MOSFET的导通电阻_RM=200Ω，UA和UB只取5V（逻辑1)

题图所示电路是用MOSFET构成的逻辑电路，已知R_L=20kΩ，U_S=5V，MOSFET的导通电阻_R_M=200Ω，U_A和U_B只取5V(逻辑1)或0V(逻辑0)，求出U_A和U_B所有组合状态下电路的输出电压U_O，并判断该电路的逻辑功能。

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