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[单选题]
载流子跃迁前后在（)所对应的波数（ke)的位置与价带顶所对应波数（kh)不同的能隙类型称为间接能隙，相应的半导体称为间接能隙半导体。
A.导带底
B.导带顶
C.禁带中
D.禁带外
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A.自由载流子吸收与本征吸收的区别在于：电子从低能态到较高能态的跃迁是在同一能带中进行
B.自由载流子吸收与本征吸收的相同之处在于：仍然遵守能量守恒和动量守恒。自由载流子吸收类似于间接跃迁吸收，电子的跃迁过程中也伴随着吸收或发射一个声子
C.产生自由载流子吸收的光波波长大于本征吸收限 ，所以自由载流子吸收是红外吸收
D.杂质能级上的电子或空穴吸收光子跃迁到导带或价带，称为自由载流子吸收
B、电离的杂质会引起载流子的散射，从而影响载流子的迁移率
C、中性杂质不会对半导体产生影响
D、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于所有的杂质都会破坏晶格周期性势场，所以对载流子迁移率的影响是两种杂质浓度之和
E、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于杂质的补偿作用，对载流子浓度的影响是两种杂质浓度之差
F、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，而且施主杂质浓度等于受主杂质浓度，由于杂质的补偿作用，该半导体材料属于本征半导体
G、杂质会在半导体的禁带中引入能级
H、如果杂质能级较浅，则杂质易于电离，可为半导体提供导电的载流子或改变半导体的导电类型，如掺入硅中的磷
I、如果杂质能级较深，则杂质不易于电离，可能形成复合中心或陷阱中心
J、如果杂质能级(深能级)的位置在EF附近，该杂质可有效促进载流子的复合，缩短非平衡载流子的寿命，起复合中心的作用，如掺入硅中的金
K、如果杂质能级(深能级)的位置在Ei附近，该杂质可暂时收容非平衡载流子，延长了非平衡载流子的寿命，起陷阱中心的作用
具有n→π*和π→π*两种电子跃迁的某化合物的紫外吸收光谱如图，其中n→π*跃迁所产生的吸收带λmax为______nm，π→π*跃迁所产生的吸收带λmax为______nm，判断的依据是______。
A.太阳是宇宙中的一个巨大能量聚焦点，即宇宙中一种巨大的能量辐射现象
B.太阳这个能量点，是在不断变化着的宇宙统一场场能的作用下产生的
C.太阳是在不断变化着的宇宙统一场场能作用下，其所在区域内不断发生能级跃迁而产生的
D.太阳是宇宙中统一场场能的变化和太阳区域内能级跃迁共同产生的
