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题目内容 (请给出正确答案)
[多选题]

关于半导体的热导率,以下说法正确的是?()

A.半导体中热传导绝大部分是声子的贡献

B.声子对热传导率的贡献实质上就是格波之间的散射过程的贡献

C.半导体的热导率与电导率之间存在某种联系

D.通过双极扩散的机构,电子和空穴共同将能量从高温端运载到低温端

E.半导体的热导率是由载流子的运动和声子的运动两种机构决定的

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第1题
关于霍耳效应,以下说法正确的是?()

A.室温时,n型半导体的霍耳系数为负

B.室温时,p型半导体的霍耳系数为正

C.n型半导体的霍耳角为负

D.p型半导体的霍耳角为正

E.室温时,n型半导体的霍耳系数为正

F.室温时,p型半导体的霍耳系数为负

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第2题
关于准费米能级,以下说法正确的是:()。

A.电子准费米能级与空穴准费米能级之间的偏离程度反映了系统偏离热平衡态的程度

B.多子的准费米能级偏离热平衡态费米能级很小

C.少子的准费米能级偏离热平衡态费米能级很大

D.多子的准费米能级偏离热平衡态费米能级很大

E.少子的准费米能级偏离热平衡态费米能级很小

F.当电子的准费米能级和空穴的准费米能级重合时,半导体处于非平衡态

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第3题
关于晶闸管元件下面()说法正确。

A.是用半导体材料制成的

B.是可控的整流元件

C.它的单向导电与否是可控的

D.它的双向导电与否是可控的

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第4题
下列关于“本征半导体在温度升高后”的说法正确的是()。

A.自由电子数目增多,空穴数目不变

B.自由电子和空穴数目增加相同

C.自由电子数目不变,空穴增多

D.自由电子数目增多,空穴数目减少

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第5题
关于超导、半导体,下列说法错误的是:()

A.超导技术的关键是在某一温度下,将电阻降为零

B.电阻为零的情况下,将没有热能的损耗

C.半导体的电阻会随着温度及光强的变化而变化,为此可以制成热敏电阻和光敏电阻等

D.铜是一种超导材料

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第6题
以下关于半导体测序技术的描述错误的是()。

A.半导体测序技术又叫做个人基因组测序平台

B.半导体测序技术为非光学测序技术

C.半导体测序技术检测的是DNA复制过程中碱基参入时所释放的H离子

D.半导体测序技术检测的是DNA复制过程中碱基参入时所释放的焦磷酸

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第7题
下述说法中________是正确的。A.半导体RAM信息可读可写,且断电后仍能保持记忆B.半导体RAM是易失性

下述说法中________是正确的。

A.半导体RAM信息可读可写,且断电后仍能保持记忆

B.半导体RAM是易失性RAM,而静态RAM中的存储信息是不易失的

C.半导体RAM是易失性RAM,而静态RAM只有在电源不掉电时,所存信息是不易失的

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第8题
下列说法中,正确的是()。A.半导体RAM信息可读可写,且断电后仍能保持记忆B.DRAM是易失性RAM,

下列说法中,正确的是()。

A.半导体RAM信息可读可写,且断电后仍能保持记忆

B.DRAM是易失性RAM,而SRAMt扣的存储信息是不易失的

C.半导体RAM是易失性RAM,但只要电源不断电,所存信息是不丢失的

D.半导体RAM是非易失性的RAM

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第9题
加工材料的以下特性中的()将导致加工表面质量差。

A.高硬度

B.热导率低

C.韧性高、塑性大

D.高强度

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第10题
为减少热损失,在外径Φ150mm的饱和蒸汽管路外覆盖保温层。已知保温材料的热导率λ=0.103+0.000198t(式中t为℃),蒸汽管外壁温度为180℃,要求保温层外壁温度不超过50℃,每米管道由于热损失而造成蒸汽冷凝的量控制在1×10-4kg/(m•s)以下,问保温层厚度应为多少?

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第11题
半导体:是导电性能介于金属和绝缘体之间的物质。 按照这个定义,下面说法错误的是()。 A.某溶液

半导体:是导电性能介于金属和绝缘体之间的物质。

按照这个定义,下面说法错误的是()。

A.某溶液的导电性能不如金属,又不是绝缘体。所以这种溶液是半导体

B.干燥的木块不导电,将木块弄潮湿后开始导电,但导电性能远不如铝、铜等金属。因此,“潮湿将木块由绝缘体变为半导体”的说法是错误的

C.汞的导电性大大小于铝、铜、铁等金属材料,所以,汞是半导体物质

D.在纯结晶状态的硅中掺入某些元素原子后,会由不导电变为导电,但它在某一个方向导电比另一个方向容易些,而且导电能力受电压等外界因素影响大。这些导电性能不如金属,所以,是硅半导体物质

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