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题目内容 (请给出正确答案)
[多选题]

以下哪种情况下,半导体为N型的?()

A.本征半导体中掺入施主杂质

B.半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主浓度大于受主浓度

C.半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主浓度小于受主浓度

D.半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主浓度等于受主浓度

E.本征半导体中掺入受主杂质

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第1题
关于霍耳效应,以下说法正确的是?()

A.室温时,n型半导体的霍耳系数为负

B.室温时,p型半导体的霍耳系数为正

C.n型半导体的霍耳角为负

D.p型半导体的霍耳角为正

E.室温时,n型半导体的霍耳系数为正

F.室温时,p型半导体的霍耳系数为负

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第2题
在理想情况下,金属和半导体接触,如何形成欧姆接触?()

A.金属和n型半导体接触,形成电子的反阻挡层,即为欧姆接触

B.金属和p型半导体接触,形成空穴的反阻挡层,即为欧姆接触

C.金属和n型半导体接触,形成电子的阻挡层,即为欧姆接触

D.金属和p型半导体接触,形成空穴的阻挡层,即为欧姆接触

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第3题
声波以vs=2×103m/s的速度在n型半导体中传播,产生形变势效应,使势能沿声波传播的x方向发生正弦波变化△Ec,如

声波以vs=2×103m/s的速度在n型半导体中传播,产生形变势效应,使势能沿声波传播的x方向发生正弦波变化△Ec,如图所示。不在能谷B和D处的电子就要往能谷底运动。设在正弦波的势能保持不变的情况下电子从A运动到B,或从C运动到B的平均速度的绝对值为Ve=1.2×103m/s,载流子浓度n=5×106/cm3。问载流子处在波前(如A到B)的平均浓度是多少?占总体的百分比是多少?

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第4题
在P型半导体中掺入高浓度的5价元素可以将P型半导体转型为N型半导体。()

在P型半导体中掺入高浓度的5价元素可以将P型半导体转型为N型半导体。( )

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第5题
在N型半导体中,多数载流子为电子,N型半导体()A. 带正电B. 带负电C. 不带电

在N型半导体中,多数载流子为电子,N型半导体()

A. 带正电

B. 带负电

C. 不带电

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第6题
在P型半导体中掺入高浓度的5价元素可以将P型半导体转型为N型半导体。 ()此题为判断题(对,错)。
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第7题
p型半导体的导电载流子为电子和空穴,并且以空穴导电为主。()
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第8题
硅是半导体产业中最常用的半导体材料,以下()选项属于硅材料的优点。

A.易于进行腐蚀加工

B.带隙大小适中、硅表面上很容易制备高质量的介电层SiO2

C.易于通过沉积工艺制备出单晶硅、多晶硅和非晶硅薄膜材料

D.易于进行n型和p型掺杂

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第9题
P型半导体中空穴为少数载流子,自由电子为多数载流子。()
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第10题
300K时,在本征半导体中掺入施主杂质形成N型半导体,欲使得锗中的费米能级低于导带底能量O.15eV
,施主掺杂陈度ND为()。

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第11题
镀铬试块(B型试块)主要用于以下哪种情况()

A.用于检验渗透检测剂系统灵敏度及操作工艺正确性

B.对用于非标准温度下的渗透检测方法作出鉴定

C.在正常使用情况下,检验渗透检测剂能否满足要求

D.在正常使用情况下,比较两种渗透检测剂性能的优劣

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