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以下哪种情况下,半导体为N型的?()
A.本征半导体中掺入施主杂质
B.半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主浓度大于受主浓度
C.半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主浓度小于受主浓度
D.半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主浓度等于受主浓度
E.本征半导体中掺入受主杂质
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A.本征半导体中掺入施主杂质
B.半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主浓度大于受主浓度
C.半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主浓度小于受主浓度
D.半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主浓度等于受主浓度
E.本征半导体中掺入受主杂质
A.室温时,n型半导体的霍耳系数为负
B.室温时,p型半导体的霍耳系数为正
C.n型半导体的霍耳角为负
D.p型半导体的霍耳角为正
E.室温时,n型半导体的霍耳系数为正
F.室温时,p型半导体的霍耳系数为负
A.金属和n型半导体接触,形成电子的反阻挡层,即为欧姆接触
B.金属和p型半导体接触,形成空穴的反阻挡层,即为欧姆接触
C.金属和n型半导体接触,形成电子的阻挡层,即为欧姆接触
D.金属和p型半导体接触,形成空穴的阻挡层,即为欧姆接触
声波以vs=2×103m/s的速度在n型半导体中传播,产生形变势效应,使势能沿声波传播的x方向发生正弦波变化△Ec,如图所示。不在能谷B和D处的电子就要往能谷底运动。设在正弦波的势能保持不变的情况下电子从A运动到B,或从C运动到B的平均速度的绝对值为Ve=1.2×103m/s,载流子浓度n=5×106/cm3。问载流子处在波前(如A到B)的平均浓度是多少?占总体的百分比是多少?
A.易于进行腐蚀加工
B.带隙大小适中、硅表面上很容易制备高质量的介电层SiO2
C.易于通过沉积工艺制备出单晶硅、多晶硅和非晶硅薄膜材料
D.易于进行n型和p型掺杂
A.用于检验渗透检测剂系统灵敏度及操作工艺正确性
B.对用于非标准温度下的渗透检测方法作出鉴定
C.在正常使用情况下,检验渗透检测剂能否满足要求
D.在正常使用情况下,比较两种渗透检测剂性能的优劣