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[主观题]
在图10.2所示的用CMOS反相器组成的施密特触发电路中，若R1=50kΩ，R2=100 kQ，VDD=5V，，试求电路的输入转换电平V
在图10.2所示的用CMOS反相器组成的施密特触发电路中，若R1=50kΩ，R2=100 kQ，VDD=5V，
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在图9．1．1用两级CMOS反相器组成的施密特触发器电路中，若R1=50 kΩ，R2=100 kΩ，VDD=5 V，
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试求电路的输入转换电平VT+，VT-和回差电压△VT。
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在图题6.2(a)所示的施密特触发器电路中，已知R1=10kΩ，R2=30kΩ，G1和G2为CMOS反相器，VDD=15V。
(1) 试计算电路的正向阈值电压VT+、负向阈值电压VT-和回差电压△VT。
(2) 若将图题6.2(b)给出的电压信号加到图题6.2(a)电路的输入端，试画出电压的波形。
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图题6.3是用CMOS反相器接成的压控施密特触发器电路，试分析它的转换电平VT+、VT-和回差电压△VT与控制电压VCO的关系。
图P3.6是用输出端并联的OD门驱动CMOS反相器和与非门的电路。试计算当VDD＝5V时外接电阻RP阻值的合理范围。要求OD门输出的高、低电平满足VOH≥3.5V、VOL≤0.3V。已知OD门G1～G3输出高电平时，每个输出端MOS管的漏电流为IOH(max)＝10μA；输出低电平时，每个输出端MOS管输出电流的最大值为IOL(max)＝4mA，输出低电平VOL≤0.3V。CMOS反相器和与非门每个输入端的高电平输入电流和低电平输入电流最大值均为1μA。
在图P3.8电路中，若CMOS反相器的电源电压VDD＝5V，负载电容CL＝100pF，静态电源电流为20μA。当输入为1MHz矩形波时测得电源电流的平均值为o.72mA，试求反相器功耗电容Cpd的数值。
CMOS反相器的电路如图2.3.2所示，反相器的输出端接有负载电容CL，已知VDD=10V，静态电流IDO=1μA，CL=60pF，输入信号为理想的矩形波，
CMOS芯片4007的内部电路如图T3.5-1所示，请用4007电路分别接成：
(1)3反相器；
(2)3输入或非门；
(3)3输入与非门；
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