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第3题
关于缓变沟道近似（GCA），下列说法中正确的是（）。
A.GCA成立条件是沿沟道方向（电流前进方向）电场强度远小于栅感应电场（半导体表面电场）
B.强反型时可以用GCA，但亚阈值时不能用GCA
C.用了GCA后，反型电荷面浓度与沟道中位置无关
D.用了GCA后，可以把二维问题转化为一维
第9题
如图所示，在静电场中，一电荷q0沿正三角形的一边从a点移动到b点，已知电场力为A0，则当该电荷q0沿正三角形的另
如图所示，在静电场中，一电荷q0沿正三角形的一边从a点移动到b点，已知电场力为A0，则当该电荷q0沿正三角形的另两条边从b点经c点到a点的过程中，电场力做功A=______。
第11题
在静电场中，若高斯面内净电荷为零，下列说法正确的是（）。
A、高斯面上各点的电场强度只能由高斯面外的电荷产生
B、表达式
仍成立
C、高斯面上各点的电场强度处处为零
D、其他说法都不正确
