下列关于DRAM的说法错误的是()
A.由一个晶体管和一个小电容组成
B.其内容一般只能保存2ns
C.断电后信息丢失
D.是内存的主体
A.由一个晶体管和一个小电容组成
B.其内容一般只能保存2ns
C.断电后信息丢失
D.是内存的主体
下列关于DRAM刷新的说法中,错误的是()。
A.刷新是指对DRAM中的存储电容重新充电
B.刷新是通过对存储单元进行“读但不输出数据”的操作来实现
C.由于DRAM内部设有专门的刷新电路,所以访存期间允许进行刷新
D.刷新期间不允许访存,这段时间称为“访存死区(也叫死时间)”
下列关于DRAM刷新的说法中,错误的是()。
A.刷新操作按行进行,一次刷新一行中的全部存储单元
B.刷新所需的行地址是由DRAM内部的刷新计数器(行地址生成器)给出
C.集中刷新的“死时间”要大于异步刷新的“死时间”
D.分散刷新方式同样存在“死时间”
A.提供DRAM刷新定时
B.按照DRAM刷新优先于读写的原则为DRAM提供仲裁
C.通过仲裁可以避免读写和刷新操作的冲突
D.产生符合DRAM操作的控制信号
下列关于SRAM和DRAM的论述中,错误的是()。
A.SRAM通常用于实现CaChe,DRAM用于实现主存
B.由于容量大,DRAM采用行列地址复用技术,地址引脚数量仅为地址宽度的一半
C.控制线RAS和CAS是DRAM特有的,分别控制从地址线上读行地址和列地址
D.SRAM和DRAM芯片都有片选信号线CS
A.内存速度用进行一次读或写操作所花费的“访问时间”来描述
B.DRAM的主要参数有两个:存储容量和工作频率,工作频率反映了存储器读写单元的速度
C.动态存储器(DRAM)集成度低,生产成本高,一般用在比内存小得多的高速缓冲存储器等场合
D.断电后RAM中的内容全部丢失,目前使用的RAM多数为MOS型半导体集成电路
B.RM为只读存储器,FLASH为闪存,都可以用来存储程序,不过FLASH比ROM擦与方方便
C.RAM代表随机存取存储器;DRAM是动态随机存取存储器,用电容存储数据;SRAM静态随机存取存储器,用晶体管存
D.储数据;都可以用来存储数据,不过断电数据会丢失
E.显示器是输入设备,传感器和按键是输出设备
A.RAM分静态RAM(SRAM)和动态RAM(DRAM)两大类
B.SRAM的集成度比DRAM高
C.DRAM的存取速度比SRAM快
D.DRAM中存储的数据无须“刷新”
关于SRAM和DRAM,下列叙述中正确的是()。
A.通常SRAM依靠电容暂存电荷来存储信息,电容上有电荷为1,无电荷为0
B.DRAM依靠双稳态电路的两个稳定状态来分别存储0和1
C.SRAM速度较慢,但集成度稍高;DRAM速度稍快,但集成度低
D.SRAM速度较快,但集成度稍低;DRAM速度稍慢,但集成度高
下列关于存储器的论述中,正确的是()。
A.与SRAM相比,DRAM由于需要刷新,所以功耗较高
B.常用的EPR,OM采用浮栅雪崩注入型MOS管构成,出厂时存储内容为全“0”
C.SRAM依靠基于MOS管的双稳态电路来存储信息,所以不需要刷新
D.双极型RAM不仅存取速度快,而且集成度高
A.Ⅰ和Ⅱ
B.Ⅱ和Ⅲ
C.Ⅲ和Ⅳ
D.Ⅰ和Ⅳ
A.SRAM和DRAM都是RAM芯片,掉电后所存放的内容会丢失
B.SRAM的集成度比DRAM高
C.DRAM的存取速度比SRAM快
D.CPU中的cache既可用SRAM构成也可用DRAM构成