电路如图L10-4-1所示,其中门G1、G2均为CMOS反相器,T为NMOS场效应管,vI为输入信号,为连续可变正信号,且有RP足够大,RF远大于RON(N)和RON(P),试分析该电路的工作原理。
取值1、0的二进制独立等概序列经(3,1,4)卷积编码(卷积编码器的约束长度K=4,移位寄存器级数为m=K-4=3)后,送至16QAM数字调制器,如图9-6所示。已知此卷积码的生成多项式是g1(x)=1,g2(x)=l+x2+x3, g3(x)=l+x+x2+x3。 (1)画出卷积码编码器电路; (2)求出图9-6中B、C处的码元速率,画出C点的功率谱密度图;
(3)画出16QAM的信号空间图,并求出星座图中最小的欧式距离平方和平均能量之比(假设采用常规矩形星座,各星座点等概出现)。
电路如图L3-13(a)所示,门G1、G2均为CMOS与非门,输入信号v1的波形如图L3-13(b)所示,且有R1C1时间常数大于8倍v1的波形宽度tw1,当门G1输出低电平时其输出电阻RD与二极管D导通电阻RON之和很小,满足(RO+RON)C1小于8倍v1的波形宽度tw1,试画出输出端vO的波形。
A.G1(s)+G2(s)
B.G1(s)G2(s)
C.G1(s)/G2(s)
D.G1(s)G2(s)/G1(s)+G2(s)
A.G1(s)/G2(s)
B.G1(s)*G2(s)
C.G1(s)-G2(s)
D.G1(s)+G2(s)
在图题6.2(a)所示的施密特触发器电路中,已知R1=10kΩ,R2=30kΩ,G1和G2为CMOS反相器,VDD=15V。
(1) 试计算电路的正向阈值电压VT+、负向阈值电压VT-和回差电压△VT。
(2) 若将图题6.2(b)给出的电压信号加到图题6.2(a)电路的输入端,试画出电压的波形。
从室外取一块质量为G1的粘土砖。浸水饱和后质量为G2,烘干后质量为G3,则这块粘土砖的质量吸水率为ωm=(G2-G3)/G1。( )
在图9.3.1(a)所示的施密特触发器电路中,已知R1=10 kΩ,R2=30 kΩ。G1和G2为CM()S反相器,VDD=15 V。 (1)试计算电路的上限触发电平VT+,下限触发电平VT-和回差电压△VT. (2)若将图9.3.1(b)给出的电压信号加到图9.3.1(a)电路的输出端,试画出输出电压的波形。