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[主观题]

在下图所示的两级放大电路中,已知晶体管的β1=β2=50,β3=80,UBE1=UBE2=-UBE3=0.7V,rbe1=rbe2=3.9kΩ,rbe3=2.4k

在下图所示的两级放大电路中,已知晶体管的β12=50,β3=80,UBE1=UBE2=-UBE3=0.7V,rbe1=rbe2=3.9kΩ,rbe3=2.4kΩ;R1=1kΩ,RC=10kΩ,RE=20kΩ,RE3=3kΩ,RC3=12kΩ,电源电压VCC=VEE=12V。

在下图所示的两级放大电路中,已知晶体管的β1=β2=50,β3=80,UBE1=UBE2=-UBE3

计算各级电路的输入电阻Ri1和Ri2

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第1题
两级放大电路如下图所示,已知场效应管V的gm=1ms,晶体管VT的β=99,rbe=2kΩ,电容足够大。

两级放大电路如下图所示,已知场效应管V的gm=1ms,晶体管VT的β=99,rbe=2kΩ,电容足够大。(1)试画出该电路的小信号等效电路;(2)说明 RG3的作用,并求输入电阻Ri; (3)求电压放大倍数 Au及输出电阻 Ro。

两级放大电路如下图所示,已知场效应管V的gm=1ms,晶体管VT的β=99,rbe=2kΩ,电容足够

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第2题
放大电路如下图所示,已知晶体管的β=100,则该电路中三极管工作在( )。放大电路如下图所示,已知晶体管的β=100,则该电路中三极管工作在( )。

A.放大区

B.饱和区

C.截止区

D.无法确定

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第3题
两级阻容耦合放大电路如下图所示,设晶体管V1、V2的β=100,rbe1=2kΩ,rbe2=1kΩ,试:

两级阻容耦合放大电路如下图所示,设晶体管V1、V2的β=100,rbe1=2kΩ,rbe2=1kΩ,试:

两级阻容耦合放大电路如下图所示,设晶体管V1、V2的β=100,rbe1=2kΩ,rbe2=1kΩ,

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第4题
两级放大电路如下图所示,设晶体管参数相同,β=50,rbb'=200Ω,UBEQ=0.6V。

两级放大电路如下图所示,设晶体管参数相同,β=50,rbb'=200Ω,UBEQ=0.6V。

两级放大电路如下图所示,设晶体管参数相同,β=50,rbb'=200Ω,UBEQ=0.6V。两级放大

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第5题
差分放大电路如下图所示,已知晶体管的β=100,rbb'=200Ω,UBEQ=0.7V,试求:

差分放大电路如下图所示,已知晶体管的β=80,rbb'=200Ω,UBEQ=0.6V,试求:

差分放大电路如下图所示,已知晶体管的β=100,rbb'=200Ω,UBEQ=0.7V,试求:差分放

差分放大电路如下图所示,已知晶体管的β=100,rbb'=200Ω,UBEQ=0.7V,试求:差分放

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第6题
两级放大电路如下图所示,已知三极管均为硅管,|UBE(on)|=0.7V,β=100,rbb'=200Ω。

两级放大电路如下图所示,已知三极管均为硅管,|UBE(on)|=0.7V,β=100,rbb'=200Ω。

两级放大电路如下图所示,已知三极管均为硅管,|UBE(on)|=0.7V,β=100,rbb'=20

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第7题
差分电路如下图所示,已知晶体管的β=60,rbb'=200Ω,UBEQ=0.7V,试求:

差分电路如下图所示,已知晶体管的β=60,rbb'=200Ω,UBEQ=0.7V,试求:

(1)静态工作点ICQ、UCEQ;

(2)rbe

(3)电压放大倍数Au

差分电路如下图所示,已知晶体管的β=60,rbb'=200Ω,UBEQ=0.7V,试求:差分电路如下

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第8题
共发射极放大电路如下图所示,已知晶体管的β=100,rbe=1.5kΩ,试分别求出它们的下限频率fL,并作出幅频特性波特

共发射极放大电路如下图所示,已知晶体管的β=100,rbe=1.5kΩ,试分别求出它们的下限频率fL,并作出幅频特性波特图。

共发射极放大电路如下图所示,已知晶体管的β=100,rbe=1.5kΩ,试分别求出它们的下限频率fL

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第9题
在图9.17所示两级阻容耦合放大电路中,RB1=20kΩ,RB2=10kΩ,RC=3kΩ,RE=1.5kΩ,UCC=12V,硅晶体管的β=49,第一级放

在图9.17所示两级阻容耦合放大电路中,RB1=20kΩ,RB2=10kΩ,RC=3kΩ,RE=1.5kΩ,UCC=12V,硅晶体管的β=49,第一级放大电路的Au1=-100,求该放大电路的总电压放大倍数。

在图9.17所示两级阻容耦合放大电路中,RB1=20kΩ,RB2=10kΩ,RC=3kΩ,RE=1.

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第10题
放大电路如下图(a)所示,已知晶体管的fT=200MHz,Cb'e=5pF,rbb'=50Ω,re=5Ω,β0=50,略去基极偏置电阻RB1、RB2的

放大电路如下图(a)所示,已知晶体管的fT=200MHz,Cb'e=5pF,rbb'=50Ω,re=5Ω,β0=50,略去基极偏置电阻RB1、RB2的影响,试求该电路的Aus0、fH和G·BW。

放大电路如下图(a)所示,已知晶体管的fT=200MHz,Cb'e=5pF,rbb'=50Ω,re=

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