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电路如下图所示，Re1=Re2=100kΩ，BJT的β=100，VBE=0.6V，电流源动态输出电阻ro=100kΩ。(1)当vi1=0.01V，vi2=-0.01V时，求vo的值；(2)当c1、C2间接入负载电阻RL=5.6kΩ时，求v'o的值；(3)单端输出且RL=∞时，vo2=？求Avd2、Avc2和KCMR2的值；(4)求电路的差模输入电阻Rid共模输入电阻Ric和不接RL时，单端输出的输出电阻Ro2。
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如图2-32所示。它为三级共集—共射—共射的阻容耦合放大电路。已知：UCC=15V，Rb1=150kΩ，Re1=20kΩ，Rb22=100kΩ，Rb21=15kΩ，Rc2=5kΩ，Re2=100Ω，Re2=750Ω，Rb32=100kΩ，Rb31=22kΩ，Rc3=3kΩ，Re3=1kΩ，RL=1kΩ，三个晶体管的电流放大倍数均为β=50，UBEQ=0.7V。试求电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻、输出电阻。
在图9.19所示放大电路中，已知RB1=20kΩ，RB2=10kΩ，RC1=3kΩ，RE1=1.5kΩ，RB3=20kΩ，RB4=10kΩ，RC2=6.8kΩ，RE2=4.7kΩ，β1=60，β2=50，rbe1=1kΩ，rbe2=1kΩ，求该放大电路的总电压放大倍数，输入电阻和输出电阻。
某集成电路中的局部原理电路如图LP2-16所示，已知VBB=-13 V，VBE(on)=0．7 V，β=100，RE1=50 kΩ，RE2=100 Ω，试计算IC1、IC2值。
图5-15所示为电流并联负反馈电路。已知RE1=750Ω，RE2=1.2kΩ，Rs=1kΩ，RC2=4kΩ，RL=1kΩ，Rf=10kΩ，设各电容对交流呈短路，RB1、RB2忽略不计，试在满足深度负反馈条件下，求Aif、Avf、Avfs。
积分电路如下图题2.4.8(a)所示，设运放是理想的，已知初始状态时vC(0)=0，试回答下列问题：(1)当R=100kΩ，C=2μF时，若突然加入vI(t)=1V的阶跃电压，求1s后输出电压v0的值；(2)当R=100kΩ，C=0.47μF，输入电压波形如图题2.4.8(b)所示，试画出vo的波形，并标出vo的幅值和回零时间。
一、二阶系统的电子模拟及阶跃响应的动态分析
一、实验目的
1．学习典型环节的电子模拟方法及在电子模拟器上建立数学模型的方法。
2．学习时域响应的测试方法，树立时域的概念。
3．明确一、二阶系统的阶跃响应及其性能域结构参数的关系。
二、实验内容
1．建立一阶系统的电子模型，观察并测量不同时间常数T的阶跃响应及性能指标调节时间ts。
2．建立二阶系统的电子模型，观察并测量不同阻尼比ξ时的阶跃响应及性能指标调节时间ts超调量δ%。
三、实验的原理与方法
1．一阶系统
微分方程(Ts+1)Uc-Ur
传递函数
其模拟运算电路如下图所示。
由图所示
取R1=R2
则K=1，Ts=R2C
选取不同的电阻值，使T分别为0.1s、0.2s、0.5s、1s时，观测并记录阶跃响应，计算调节时间ts。
2．二阶系统
传递函数
当ωn=1(rad/s)时，系统的动态结构如下图(b)所示。
根据动态结构图画出模拟运算电路下图。
若取R2C2=1，R3C3=1
则
为观测不同阻尼比对二阶系统的影响，可以选配不同的电阻电容值使阻尼比ξ分别为0.1、0.5、0.7、1。
观察并记录响应曲线、测量H向应性能指标调节时问ts、超调量σ%。
四、实验设备及元器件
电子模拟器一台
超低频双线长余辉示波器一台
双线笔录仪一台(非必备设备)
直流稳压电源一台
三用表一台
元器件 电容 1μF 2.2μF 4.7μF 6.8μF 10μF
可变电阻 100kΩ 470kΩ
接插件导线接线柱鱼形夹等
在图4.23中，已知晶体管的β=100，VCC=12V，RC=2kΩ，RB1=20kΩ，RB2=10kΩ，RE1=200Ω，RE2=1800Ω，RL=2kΩ。
