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[主观题]
在图10．3．12所示的施密特触发器构成的多谐振荡器中，已知CMOS集成施密特触发器的VDD=15V，VT＋=9V，V
在图10．3．12所示的施密特触发器构成的多谐振荡器中，已知CMOS集成施密特触发器的VDD=15V，VT+=9V，VT-=4V，R=10 kΩ，C=0．01μF，试求该电路的振荡周期。
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在图10．3．12所示的施密特触发器构成的多谐振荡器中，已知CMOS集成施密特触发器的VDD=15V，VT+=9V，VT-=4V，R=10 kΩ，C=0．01μF，试求该电路的振荡周期。
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在图题6.2(a)所示的施密特触发器电路中，已知R1=10kΩ，R2=30kΩ，G1和G2为CMOS反相器，VDD=15V。
(1) 试计算电路的正向阈值电压VT+、负向阈值电压VT-和回差电压△VT。
(2) 若将图题6.2(b)给出的电压信号加到图题6.2(a)电路的输入端，试画出电压的波形。
在图9．3．1(a)所示的施密特触发器电路中，已知R1=10 kΩ，R2=30 kΩ。G1和G2为CM()S反相器，VDD=15 V。 (1)试计算电路的上限触发电平VT+，下限触发电平VT-和回差电压△VT． (2)若将图9．3．1(b)给出的电压信号加到图9．3．1(a)电路的输出端，试画出输出电压的波形。
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TTL集成施密特触发器CTll32的逻辑符号和vI一vO曲线如图9．6．1(a)所示，图(b)为CTll32组成的电路。 (1)说明电路具有什么功能。 (2)定性画出VA，VO的波形。 (3)若R=10 kΩ，C=0．01μF，计算工作周期。
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在图NP3-21所示晶体振荡电路中，试分析晶体的作用。已知晶体与CL构成并联谐振回路，其谐振电阻Re0=80kΩ，Rf/R1=2，试问：为满足起振条件，R应小于何值？设集成运放是理想的。
用T触发器及异或门构成的某种电路如图(a)所示，在示波器上观察到波形如图(b)所示，试问该电路是如何连接的？请在原图上画出正确的连接图，并标明T的取值。
图4-13所示空间桁架由六杆1、2、3、4、5和6构成。在节点A上作用一力F，此力在矩形ABCD平面内，且与铅直线成45°角。△EAK=△FBM。等腰三角形EAK、FBM和NDB在顶点A、B和D处均为直角，又EC=CK=FD=DM。若F=10kN，求各杆的内力。
