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第1题
关于N型半导体的下列说法，正确的是（)。
A.只存在一种载流子：自由电子
B.在二极管中，N型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极
C.在纯净的硅衬底上，分散三价元素，可形成N型半导体
D.在PNP型的晶体管中，基区正是由N型半导体构成
第3题
关于P型半导体的下列说法，错误的是（)。
A.空穴是多数载流子
B.在二极管中，P型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极
C.在纯净的硅衬底上，掺杂五价元素，可形成P型半导体
D.在NPN型的晶体管中，基区正是由P型半导体构成
第4题
N 型半导体是在本征半导体中掺入了()价元素的原子，P 型半导体是在本征半导体中掺入了()价元素的原子。N型半导体是在本征半导体中加入()物质后形成的。
N 型半导体是在本征半导体中掺入了（)价元素的原子，P 型半导体是在本征半导体中掺入了（)价元素的原子。N型半导体是在本征半导体中加入（)物质后形成的。
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第7题
以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是()。
A、纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体
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B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的，只要杂质和缺陷在一定限度内，就可看作是本征半导体
C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体
D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体，掺入受主杂质可形成p型半导体
E、n型半导体依靠导带电子导电
F、p型半导体依靠价带空穴导电
G、本征半导体中载流子由本征激发产生
H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度
I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子
J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴
K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生
L、杂质半导体中也存在本征激发的过程
