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温下ICQ、VCEQ值,温度升高40℃、降低60℃两种情况下VCEQ值,并分析其工作模式.
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在图4-11所示电路中，已知图4-11(a)电路中N沟道JFET的VGS(off)=-2V，IDSS=5mA，图4-11(b)电路中N沟道DMOS管的VGS(th)=-2V，μnCoxW/(2l)=0.6mA/V2，试计算VGSQ、IDQ、VDSQ。
在图LP2-17所示放大电路中，已知VBE(on)1=0．7 V，VBE(on)2=-0．25 V，β1=β2=100，试求T1和T2管的集电极静态电流IC1、IC2。
在图6-12所示的反对数变换器中，试证：
，其中
。已知VB=7V，R1=10kΩ，R2=15.7kΩ，R3=1kΩ，R5=10kΩ，试问：当vS由1mV变到10V时，在室温下相应vO的变化范围是多少？设各集成运放是理想的，各晶体管特件相同。
两级放大电路如下图所示，已知三极管均为硅管，|UBE(on)|=0.7V，β=100，rbb'=200Ω。
由二极管D和电阻R串联组成如图4-80所示电路，若考虑二极管的散弹噪声和电阻热噪声，试求在室温下(T=300K)二极管两端输出的总噪声均方值电压
在图4-6所示电路中，已知ui为正弦波，RL=16Ω，要求最大输出功率为10W。试在三极管的饱和管压降可以忽略不计的条件下，求出下列各值：
(1) 正、负电源UCC的最小值(取整数)；
(2) 根据UCC最小值，求三极管ICM、UBR,CEO及PTM的最小值；
(3) 当输出功率最大(10W)时，电源供给的功率；
(4) 当输出功率最大时的输入电压有效值。
放大电路如下图所示，已知晶体管为硅管、β=60，所有电容对交流短路。试计算静态工作点电流ICQ、电压增益Av、源电压增益Avs、输入电阻Ri和输出电阻Ro的值。
若图4.11中已知VCC=20V，RB=500kΩ，RC=5kΩ，晶体管为NPN型硅管，β=50，试求电路的静态工作点。
在图9.17所示两级阻容耦合放大电路中，RB1=20kΩ，RB2=10kΩ，RC=3kΩ，RE=1.5kΩ，UCC=12V，硅晶体管的β=49，第一级放大电路的Au1=-100，求该放大电路的总电压放大倍数。
试求T1和T2管的集电极静态电流Ic1,Ic2.
