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[单选题]

施密特触发器的上限阈值电压和下限阈值电压的差称为()。

A.回差电压

B.参考电压

C.施密特电压

D.判断电压

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第1题
由CMOS门电路组成的施密特触发器如图7.1.3(a)所示,已知R1=5 kΩ,R2=10 kΩ,VDD=5 V,VOH≈5 V,VOL1≈0

由CMOS门电路组成的施密特触发器如图7.1.3(a)所示,已知R1=5 kΩ,R2=10 kΩ,VDD=5 V,VOH≈5 V,VOL1≈0 V,VTH1=2.5 V。 (1)计算正向、负向阈值电压及回差电压。 (2)当阈值电压变为

时,若使回差电压不变,对电阻有何要求?此时正向、负向阈值电压为何值?

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第2题
555定时器构成的基本施密特触发器没有外接控制电压时,正、负向阈值电压分别为________________和_
_______________,回差电压为________________。

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第3题
在图题6.2(a)所示的施密特触发器电路中,已知R1=10kΩ,R2=30kΩ,G1和G2为CMOS反相器,VDD=15V。 (1) 试计算电路

在图题6.2(a)所示的施密特触发器电路中,已知R1=10kΩ,R2=30kΩ,G1和G2为CMOS反相器,VDD=15V。

(1) 试计算电路的正向阈值电压VT+、负向阈值电压VT-和回差电压△VT

(2) 若将图题6.2(b)给出的电压信号加到图题6.2(a)电路的输入端,试画出电压的波形。

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第4题
施密特触发器的特点是()。A.具有记忆功能B.有两个可以自行保持的稳定状态C.具有负反馈作用D.

施密特触发器的特点是()。

A.具有记忆功能

B.有两个可以自行保持的稳定状态

C.具有负反馈作用

D.上升和下降过程的阈值电压不同

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第5题
如图所示是一个回差电压可调的施密特触发器电路,试分析它的工作原理,当RE1在50~100Ω范围内变化时,计算回差

如图所示是一个回差电压可调的施密特触发器电路,试分析它的工作原理,当RE1在50~100Ω范围内变化时,计算回差电压的变化范围,其中门电路的阈值电压Vth=1.4V。

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第6题
在电压控制端开路的情况下,555定时器的高电位触发端的阈值电压是(),低电位触发端的阈值电压是()。
在电压控制端开路的情况下,555定时器的高电位触发端的阈值电压是(),低电位触发端的阈值电压是()。

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第7题
在图9.3.1(a)所示的施密特触发器电路中,已知R1=10 kΩ,R2=30 kΩ。G1和G2为CM()S反相器,VDD=15 V。

在图9.3.1(a)所示的施密特触发器电路中,已知R1=10 kΩ,R2=30 kΩ。G1和G2为CM()S反相器,VDD=15 V。 (1)试计算电路的上限触发电平VT+,下限触发电平VT-和回差电压△VT. (2)若将图9.3.1(b)给出的电压信号加到图9.3.1(a)电路的输出端,试画出输出电压的波形。

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第8题
在图P9.15的多谐振荡电路中,已知集成施密特触发电路74HC14在VDD为4.5V时的正向阈值电压和负
向阈值电压分别为VT1=2.5V,VT=1.6V。若C=2200pF,R=51kΩ,试求输出脉冲的重复频率。

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第9题
单限电压比较器如下图所示,求出它的阈值电压UT,画出其传输特性。

单限电压比较器如下图所示,求出它的阈值电压UT,画出其传输特性。

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第10题
p沟耗尽型MOS管的阈值电压为(),达到阈值电压后,表面为()状态。

A.正值,强反型

B.正值,导电沟道消失

C.负值,强反型

D.负值,导电沟道消失

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第11题
在PMOS器件中,如果将栅极从铝换成P+多晶硅,那么晶体管的阈值电压变化(DVt)等于()。

A.-0.5V

B.-1V

C.0.5V

D.1V

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