A.费米能级是量子态基本上被电子占据或基本上空着的一个分界线
B.费米能级的位置比较直观的反映了电子占据量子态的状况
C.费米能级标志着电子填充能级的水平
D.费米能级是导带和价带的一个分界线
E.费米能级标志着电子填充导带的水平
F.费米能级标志着电子填充价带的水平G、处于热平衡状态的电子系统不具有统一的费米能级
A.费米能级表征电子的填充情况,费米能级以上的量子态被电子占据的概率很小,费米能级以下的量子态被电子占据的概率很大
B.本征半导体的费米能级大致在禁带中央附近
C.N型半导体的费米能级比较靠近价带顶
D.N型半导体掺杂越高,费米能级离禁带中央越远
B、半导体处于热平衡状态时,整个材料具有统一的费米能级
C、半导体处于热平衡状态时,载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡
D、在外界作用下,半导体中额外产生了载流子,即非平衡载流子,半导体进入非平衡状态
E、在外界作用下,如果载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡,载流子浓度具有确定的值,此时半导体为热平衡态
F、在外界作用下,稳定时,载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡,载流子浓度具有确定的值,但此时半导体为非平衡态
G、半导体处于非平衡态时,整个材料不具有统一的费米能级
H、半导体处于非平衡态时,导带电子的分布用导带准费米能级表征,价带空穴的分布用价带准费米能级表征
A.电子准费米能级与空穴准费米能级之间的偏离程度反映了系统偏离热平衡态的程度
B.多子的准费米能级偏离热平衡态费米能级很小
C.少子的准费米能级偏离热平衡态费米能级很大
D.多子的准费米能级偏离热平衡态费米能级很大
E.少子的准费米能级偏离热平衡态费米能级很小
F.当电子的准费米能级和空穴的准费米能级重合时,半导体处于非平衡态
A.导带中的电子服从玻耳兹曼分布函数
B.价带中的空穴服从玻耳兹曼分布函数
C.费米能级位于禁带内,且与导带底或价带顶的距离大于2k0T
D.导带中的电子服从费米分布函数
E.价带中的空穴服从费米分布函数
F.费米能级距离带边(导带底或价带顶)很近,甚至进入导带或价带
A.n型简并半导体,导带中的电子服从费米分布函数
B.p型简并半导体,价带中的空穴服从费米分布函数
C.费米能级距离带边(导带底或价带顶)很近,甚至进入导带或价带
D.n型简并半导体,导带中的电子服从玻耳兹曼分布函数
E.p型简并半导体,价带中的空穴服从玻耳兹曼分布函数
F.费米能级位于禁带内,且与导带底或价带顶的距离大于2k0T
A.间接复合是通过复合中心完成的复合
B.表面复合也是间接复合
C.间接复合过程中,电子先从导带跃迁到复合中心能级,再跃迁到价带与空穴复合
D.间接复合是通过禁带中线完成的复合
E.间接复合是通过费米能级完成的复合
F.间接复合是电子和空穴直接相遇而复合