关于上芯顶针痕迹监控项目,描述错误的有:()。
A.上芯顶针痕迹检查频次为1次/批
B.在100X显微镜下检查顶针痕迹时,如果顶针痕迹不清晰,未造成明显的不良,则判定为合格
C.MOSFET产品在100X显微镜下检查时,如有顶针印记,则判断为不良
D.在监控顶针痕迹时,必须使用设备的pickdie功能从晶圆上吸取芯片做样品监控,不允许使用镊子从兰膜上直接夹取
A.上芯顶针痕迹检查频次为1次/批
B.在100X显微镜下检查顶针痕迹时,如果顶针痕迹不清晰,未造成明显的不良,则判定为合格
C.MOSFET产品在100X显微镜下检查时,如有顶针印记,则判断为不良
D.在监控顶针痕迹时,必须使用设备的pickdie功能从晶圆上吸取芯片做样品监控,不允许使用镊子从兰膜上直接夹取
A.上芯顶针痕迹检查频次为1次
B.在监控顶针痕迹时,必须使用设备的pickdie功能从晶圆上吸取芯片做样品监控,不允许使用镊子从兰膜上直接夹取
C.在100X显微镜下检查顶针痕迹时,如果顶针痕迹不清晰,未造成明显的不良,则判定为合格
D.MOSFET产品在100X显微镜下检查时,如有顶针印记,则判断为不良
A.卸下的旧吸嘴可以在清洗后继续使用
B.卸下的旧顶针必须报废处理
C.粘片胶过期后必须回收,不能继续使用
D.报废框架无变形异常的可用来继续调机使用
A.SCC 上可以显示当前子架的子架ID
B.每个子架上必需配有主备两块SCC板
C.SCC板可以提供单板级别的电源保护
D.SCC 板可以生成光监控信道