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[主观题]

用于片外数据存储器RAM的读/写控制信号是:() (A) EA (B) RD (C) PSEN (D) WR

用于片外数据存储器RAM的读/写控制信号是:( )

(A) EA (B) RD (C) PSEN (D) WR

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第1题
用于片外数据存储器RAM的读/写控制信号是:() (A) EA (B) RD (C) PSEN (D) WR

用于片外数据存储器RAM的读/写控制信号是:( )

(A) EA (B) RD (C) PSEN (D) WR

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第2题
某8位计算机采用单总线结构,地址总线17根(A16~0,A16为高位),数据总线8根双向(D7~0),控制信号(
某8位计算机采用单总线结构,地址总线17根(A16~0,A16为高位),数据总线8根双向(D7~0),控制信号(

高电平为读,低电平为写)。

已知该机存储器地址空间从0连续编址,其地址空间分配如下:最低8K为系统程序区,由ROM芯片组成;紧接着40K为备用区,暂不连接芯片;而后78K为用户程序和数据空间,用静态RAM芯片组成;最后2K用于I/O设备(与主存统一编址)。现有芯片如下:

SRAM:16K×8位,其中CS:为片选信号,低电平有效,WE:为写控制信号,低电平写,高电平读。

ROM:8K×8位,其中CS:为片选信号,低电平有效,OE:为读出控制,低电平读出有效。

译码器:3―8译码器,输出低电平有效;为使能信号,低电平时译码器功能有效。

其它“与、或”等逻辑门电路自选。

(1)请问该主存需多少SRAM芯片?

(2)试画出主存芯片与CPU的连接逻辑图。

(3)写出各芯片地址分配表。

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第3题
设CPU共有16根地址线,8根数据线,并用MREQ作访存控制信号(低电平有效),用WR作读写控制信号(高
设CPU共有16根地址线,8根数据线,并用MREQ作访存控制信号(低电平有效),用WR作读写控制信号(高

电平为读,低电平为写)。现有下列存储芯片:1K×4位RAM,4K×8位RAM,2K×8位ROM,以及74138译码器和各种门电路,如图所示。画出CPU与存储器连接图,要求:1.主存地址空间分配:8000H~87FFH为系统程序区;8800H~8BFFH为用户程序区。

2.合理选用上述存储芯片,说明各选几片?

3.详细画出存储芯片的片选逻辑。

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第4题
控制信号的作用是______。

A.决定数据总线上数据流的方向

B.控制存储器读/写操作的类型

C.控制流入、流出存储器信息的方向

D.以上的任一作用

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第5题
用2K×4位/片的存储芯片组成容量为8K×8位的存储器,地址总线A15~A0(低)。双向数据总线D7~D0(低)
用2K×4位/片的存储芯片组成容量为8K×8位的存储器,地址总线A15~A0(低)。双向数据总线D7~D0(低)

,读/写信号线R/W。请回答:

1、画出该存储芯片级逻辑图,包括地址总线、数据线、片选信号线(低电平有效)及读/写信号线的连接。

2、将地址总线A15~A0中的哪几位分配给存储芯片,并写出各片选信号的逻辑式,即

CS0=?CS1=?CS2=?CS3=

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第6题
随机存储器也叫随机读/写存储器,简称RAM。在RAM工作时,可以随时从任何一个指定地址读出数据,也可以随时将数据写入任何一个指定的存储单元中去。 ()此题为判断题(对,错)。
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第7题
某机器的寻址空间为64K,数据总线为8位。现有8K×8位SRAM芯片,SRAM有CS和WE控制信号;4K×8位DRAM芯片
,DRAM有CS、wE等控制信号,数据总线是双向。CPU有MERQ、R/W等控制信号(表示低电平有效)。 (1)写出DRAM控制器内部的逻辑部件名称; (2)从0000H开始安排32K×8位SRAM,从A000H安排8K×8位DRAM,画出CPU的DRAM存储器连接电路图(包括74LS138等组成的片选电路、DRAM控制器,DRAM控制器仅要求画出输入、输出信号); (3)设DRAM读/写周期为0.5μs,CPU在1μs内要访问内存1次或2次,平均1μs访存约1.2次,刷新周期为2ms。有哪几种刷新方式,采用哪种刷新方式比较合理,并说明采用的刷新方式的时间参数和理由。

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第8题
读外RAM地址DPTR中包含的信息有(); A.片选信号 B.读外RAM相应存储单元的地址信号 C.读外RAM操作信号 D
读外RAM地址DPTR中包含的信息有( );

A.片选信号 B.读外RAM相应存储单元的地址信号

C.读外RAM操作信号 D.读外RAM地址DPTR中包含的信息有(   );    A.片选信号    B.读外RAM相应存储单信号

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第9题
读RAM地址DPTR中包含的信息有()。

A.片选信号

B.读外RAM相应存储单元的地址信号

C.读外RAM操作信号

D.RD信号

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第10题
对RAM存储器进行读操作时,应向存储器芯片送出( )控制信号。

A.对RAM存储器进行读操作时,应向存储器芯片送出( )控制信号。=0和对RAM存储器进行读操作时,应向存储器芯片送出( )控制信号。=0

B.对RAM存储器进行读操作时,应向存储器芯片送出( )控制信号。=0和对RAM存储器进行读操作时,应向存储器芯片送出( )控制信号。=1

C.对RAM存储器进行读操作时,应向存储器芯片送出( )控制信号。=1和对RAM存储器进行读操作时,应向存储器芯片送出( )控制信号。=0

D.对RAM存储器进行读操作时,应向存储器芯片送出( )控制信号。=1和对RAM存储器进行读操作时,应向存储器芯片送出( )控制信号。=1

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