题目内容
（请给出正确答案）
[单选题]
MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的饱和区对应后者的()
A.放大区
B.饱和区
C.截止区
D.闭合
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下图a、b所示为MOSFET的转移特性。请分别说明它们属于何种沟道。若是增强型，其开启电压UGS(th)为多少？若是耗尽型，其夹断电压UGS(off)为多少？(图中iD的正方向假定为流进漏极)。
A.空穴，由源端到漏端
B.空穴，由漏端到源端
C.电子，由源端到漏端
D.电子，由漏端到源端
饱和区，可变电阻区，预夹断临界点或截止)。
A.漏区和源区的电压降可以忽略不计
B.沿沟道的扩散电流比由电场产生的漂移电流小的多
C.在沟道内载流子的迁移率为常数
D.其他选项都正确
已知N沟道增强型MOSFET的μ=1000cm2/V.s,
Cv=3x10-8F/cm2,W/l=1/1.47,|VA|=200V,VDS=10V,工作在饱和区,试求:(1)漏极电流IDQ分别为1mA、10mA时相应的跨导gm,输出电阻rds,放大因子μ.(2)当VDS增加10%时,相应的IDQ值.(3)画出小信号电路模型.
图4．5．17所示为一个场效应管混频器。场效应管的转移特性为
式中，ID为漏极电流；IDSS是栅压为零时的漏极电流；VP为夹断电压；VGS为栅源 电压。 设直流偏置电压为VGS0；信号电压为vs=Vssinωst；本振电压v0=V0sinω0t。 试证明： 1)此混频器能完成混频作用；
