题目内容
（请给出正确答案）
[单选题]
关于PN结，下列（）说法是错误的。
A.由P型和N型半导体通过一定的方式结合而成
B.PN结的基本特性-----单向导电性.只有在外加电压时才能显现出来
C.PN结加正向电压时，电阻值很小，PN结导通
D.PN结加反向电压时，反向电流值很大,PN结截止
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A.由P型和N型半导体通过一定的方式结合而成
B.PN结的基本特性-----单向导电性.只有在外加电压时才能显现出来
C.PN结加正向电压时，电阻值很小，PN结导通
D.PN结加反向电压时，反向电流值很大,PN结截止
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A.能够将交流电转变成直流电
B.只允许电流从一个方向流过
C.低频整流特性较差
D.高频时，PN结反向阻抗大大降低的原因是由于PN结电容的旁路作用
A.势垒区宽度较大的PN结容易发生隧道击穿
B.隧道击穿也称齐纳击穿
C.隧道击穿发生在重掺杂PN结中
D.隧道击穿的击穿电压温度系数为负
A.PN结是P型，N型半导体混合制成的
B.PN结是P型，N型半导体相接触形成的
C.PN结是P型半导体中掺入少量N型半导体形成
D.PN结是N型半导体中掺入少量P型半导体形成的
A.没有固定要求
B.要想快速测温,应该选用利用PN结形成的集成温度传感器
C.要想快速测温，应该选用热电阻式温度传感器
D.要想快速测温，应该选用热电偶温度传感器
A.最大整流电流：管子长期运行时，允许通过的最大正向平均电流
B.正向压降：二极管正向导通后的压降，一般情况，硅管的正向压降为0.2V左右
C.反向电流：指管子未击穿时的反向电流，这个值越小，管子的单向导电性越好
D.极间电容：PN结存在扩散电容和势垒电容，极间电容是反映二极管中PN結电容效应的参数，它是扩散点燃和势垒电容之和
A.二极管温度传感器的原理是PN结的电流随温度而变化
B.二极管温度传感器的原理是PN结的电压随温度而变化
C.三极管不可以代替二极管做成温度传感器
D.其它选项都对
A.在扩散运动中，只有注入的少子存在很大的浓度梯度，因此扩散电流主要是由少子贡献。
B.非晶硅对可见光谱的吸收很强，是晶硅的500倍，整个太阳光谱中的吸收系数也为单晶硅的40倍，因此非晶硅电池可做的很薄。
C.多晶硅和非晶硅电池都是由pn结构成的，因此它们的基本结构是相同的。
D.与晶体硅电池相比，非晶硅电池中存在光诱导退化效应(S-W效应)，但其光电转化效率随温度升高下降较慢。
A.对拉结件进行试验验证
B.选用安全、可靠、耐久的拉结件
C.拉结件布置和锚固构造须详细设计
D.夹心保温板应该一次制作，整体成形
