图LP2-14(a)所示放大电路中,硅NPN晶体三极管β=100,ICEO≈0,IC=2 mA,VBE(on)=0.7 V。(1)若要求集电
图LP2-14(a)所示放大电路中,硅NPN晶体三极管β=100,ICEO≈0,IC=2 mA,VBE(on)=0.7 V。(1)若要求集电极电压VO=(5~7)V,试计算电阻R1的数值范围及R2值。(2)若仅将器件改为硅PNP管,电源电压数值不变,试问晶体管与外电路应如何连接,为保持集电极电压|VO|、电流IC不变,试计算R1、R2值。
图LP2-14(a)所示放大电路中,硅NPN晶体三极管β=100,ICEO≈0,IC=2 mA,VBE(on)=0.7 V。(1)若要求集电极电压VO=(5~7)V,试计算电阻R1的数值范围及R2值。(2)若仅将器件改为硅PNP管,电源电压数值不变,试问晶体管与外电路应如何连接,为保持集电极电压|VO|、电流IC不变,试计算R1、R2值。
在图9.17所示两级阻容耦合放大电路中,RB1=20kΩ,RB2=10kΩ,RC=3kΩ,RE=1.5kΩ,UCC=12V,硅晶体管的β=49,第一级放大电路的Au1=-100,求该放大电路的总电压放大倍数。
在图9.7所示的共射放大电路中,UCC=24V,RB1=33kQ,RB2=10kΩ,RC=3.3kΩ,RE=1.5kΩ,RL=5.1kΩ,硅晶体管的β=66,试做静态分析和动态分析。
如图4.43所示放大电路中,VCC=12V,RB=280Ω,RC=3kΩ,RE1=1.2kΩ,RL=3kΩ,硅晶体管的β=50。
求静态,IB、IC与UCE;
放大电路和硅三极管的输出特性如下图所示。
(1)试确定静态工作点Q在输出特性曲线中的位置;
(2)确定该电路不失真的最大输出电压的幅值。
在图LT4-13(a)所示的共源组态放大电路中,已知N沟道DMOS管的(1)计算(2)画出交流等效电路.(3)求
对放大电路中的晶体管进行测量,测得各电极电位如下图所示。试分别判断晶体管的类型(是NPN管还是PNP管、是硅管还是锗管),并区分电极E、B、C。
两级放大电路如下图所示,已知三极管均为硅管,|UBE(on)|=0.7V,β=100,rbb'=200Ω。
硅管放大电路如下图所示,三极管的β=100,试求:
(1)静态工作点;
(2)电压放大倍数和;
(3)放大电路的输入电阻Ri;
(4)输出电阻Ro1和Ro2。
度升高40℃时的ICQ与VCEQ值。