题目内容
（请给出正确答案）
在图题6.2(a)所示的施密特触发器电路中，已知R1=10kΩ，R2=30kΩ，G1和G2为CMOS反相器，VDD=15V。
(1) 试计算电路的正向阈值电压VT+、负向阈值电压VT-和回差电压△VT。
(2) 若将图题6.2(b)给出的电压信号加到图题6.2(a)电路的输入端，试画出电压的波形。
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在图10．3．12所示的施密特触发器构成的多谐振荡器中，已知CMOS集成施密特触发器的VDD=15V，VT+=9V，VT-=4V，R=10 kΩ，C=0．01μF，试求该电路的振荡周期。
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在图9．3．1(a)所示的施密特触发器电路中，已知R1=10 kΩ，R2=30 kΩ。G1和G2为CM()S反相器，VDD=15 V。 (1)试计算电路的上限触发电平VT+，下限触发电平VT-和回差电压△VT． (2)若将图9．3．1(b)给出的电压信号加到图9．3．1(a)电路的输出端，试画出输出电压的波形。
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TTL集成施密特触发器CTll32的逻辑符号和vI一vO曲线如图9．6．1(a)所示，图(b)为CTll32组成的电路。 (1)说明电路具有什么功能。 (2)定性画出VA，VO的波形。 (3)若R=10 kΩ，C=0．01μF，计算工作周期。
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集成施密特触发器和4位同步二进制加法器74LVC161组成的电路如图题9.2.4所示。
(1)分别说明图中两部分电路的功能;
(2)画出图中74LVC161组成的电路的状态图;
(3)画出图中va、vb和v0的对应波形。
图题6.3是用CMOS反相器接成的压控施密特触发器电路，试分析它的转换电平VT+、VT-和回差电压△VT与控制电压VCO的关系。
题5-16图(a)所示放大电路
(1) 判断该电路是否会产生自激振荡？简述理由。
(2) 若电路产生了自激振荡，则应采取什么措施消振？要求在图5-7(a)中画出来。
(3) 若仅有一个50pF电容，分别接在三个三极管的基极和地之间均未能消振，则将其接在何处有可能消振？为什么？
在图题2-5所示的放大电路中，Rb=120KΩ，Rc=1.5KΩ，Ucc=16V，β=40，ICEO=0。
(1)求静态工作点的IBQ、ICQ、UCEQ;
(2)若β=80，IBQ、ICQ、UCEQ如何变化？
