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第2题
利用霍尔效应制作的霍尔元件．广泛应用于测量和自动控制等领域。下图是霍尔原理工作图，磁感应强度
为B，磁场方向垂直于霍尔元件的工作面向里，通入图示方向的电流为I，a、b两侧面会形成电势差。下列正确的是（）。
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A.若霍尔元件的载流子是正电荷，a侧电势高于b侧
B.若霍尔元件的载流子是负电荷，a侧电势高于b侧
C.无论霍尔元件的载流子是正、负电荷。a侧电势均高于b侧
D.霍尔元件给定后，霍尔电压反比于磁感应强度B和通人的电流，的大小
第4题
利用霍尔元件可以测量磁场的磁感应强度。设一用金属材料制成的霍尔元件，其厚度为0.15mm, 载流子数密度为1.0x1025/m3,将霍尔元件放入待测的匀强磁场中，测得霍尔电势差为40μV、电流为10mA, 求待测磁场的磁感应强度。
第5题
某霍尔元件ι×b×d=10mm×3.5mm×1mm，沿ι方向通以电流I=10mA，在垂直于ιb面方向加有均匀磁场B=0.3T，传感器的灵敏
度系数为22V/(A·T)，试求其输出霍尔电势及载流子浓度。
第6题
一铜片厚度h=2．0 mm，放在B=3．0 T的匀强磁场中，已知磁场方向与铜片表面垂直，铜的载流子密度n=8．4×
1028 cm-3。当铜片中通有与磁场方向垂直的电流l=200 A时，求铜片两端的霍尔电势差。
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第7题
声波以vs=2×103m／s的速度在n型半导体中传播，产生形变势效应，使势能沿声波传播的x方向发生正弦波变化△Ec，如
声波以vs=2×103m/s的速度在n型半导体中传播，产生形变势效应，使势能沿声波传播的x方向发生正弦波变化△Ec，如图所示。不在能谷B和D处的电子就要往能谷底运动。设在正弦波的势能保持不变的情况下电子从A运动到B，或从C运动到B的平均速度的绝对值为Ve=1.2×103m/s，载流子浓度n=5×106/cm3。问载流子处在波前(如A到B)的平均浓度是多少？占总体的百分比是多少？
第10题
以下关于载流子运动的描述正确的是()。
A、载流子在电场作用下作漂移运动
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B、载流子在浓度梯度作用下作扩散运动
C、迁移率表示载流子在电场作用下作漂移运动的强弱程度
D、扩散系数表示载流子在浓度梯度作用下作扩散运动的强弱程度
E、爱因斯坦关系式体现了非简并情况下载流子迁移率和扩散系数之间的关系
F、只有载流子的漂移运动会形成电流，载流子的扩散运动不形成电流
G、载流子的扩散运动也是定向运动，也会形成电流
H、在均匀半导体中，如果没有产生非平衡载流子，则不存在载流子的扩散运动
I、在均匀半导体中，如果在材料的局部区域产生非平衡载流子，则非平衡载流子作扩散运动
J、非均匀半导体中，没有外加电场时，如果没有产生非平衡载流子，则平衡态载流子作扩散运动和漂移运动
K、在电场作用下，材料中所有的载流子都作漂移运动
