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[单选题]

关于DRAM叙述不正确的是()。

A.相对集成度高

B.可读写存储器

C.不需要外部刷新电路

D.地址线行列复用

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第1题
下面是关于DRAM和SRAM存储器芯片的叙述: Ⅰ.SRAM比DRAM集成度高 Ⅱ.SRAM比DRAM成本高 Ⅲ.SRAM比DRAM速度快 Ⅳ.SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新 其中正确的叙述是______。

A.Ⅰ和Ⅱ

B.Ⅱ和Ⅲ

C.Ⅲ和Ⅳ

D.Ⅰ和Ⅳ

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第2题
下面关于SRAM、DRAM存储器芯片的叙述中,正确的是______。

A.SRAM和DRAM都是RAM芯片,掉电后所存放的内容会丢失

B.SRAM的集成度比DRAM高

C.DRAM的存取速度比SRAM快

D.CPU中的cache既可用SRAM构成也可用DRAM构成

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第3题
下面关于随机存取存储器中静态RAM和动态RAM的叙述中,正确的是()。

A.静态RAM(SRAM)集成度低,但存取速度快且无须刷新

B.DRAM的集成度高且成本高,常做Cache用

C.DRAM的存取速度比SRAM快

D.DRAM中存储的数据断电后不会丢失

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第4题
关于SRAM和DRAM,下列叙述中正确的是()。A.通常SRAM依靠电容暂存电荷来存储信息,电容上有电荷

关于SRAM和DRAM,下列叙述中正确的是()。

A.通常SRAM依靠电容暂存电荷来存储信息,电容上有电荷为1,无电荷为0

B.DRAM依靠双稳态电路的两个稳定状态来分别存储0和1

C.SRAM速度较慢,但集成度稍高;DRAM速度稍快,但集成度低

D.SRAM速度较快,但集成度稍低;DRAM速度稍慢,但集成度高

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第5题
关于延髓呼吸相关神经元的叙述,不正确的是()。A.背侧与腹侧呼吸组是基本呼吸节律产生的唯一部

关于延髓呼吸相关神经元的叙述,不正确的是()。

A.背侧与腹侧呼吸组是基本呼吸节律产生的唯一部位

B.在吸气相放电的为吸气神经元

C.在呼气相放电的为呼气神经元

D.在吸气相放电,持续至呼气相的为吸气-呼气神经元

E.呼吸节律可能源于多个部位

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第6题
下列关于核被膜的叙述不正确的是:()A.核被膜与其他细胞膜完全一样B.核被膜将遗传物质与细胞

下列关于核被膜的叙述不正确的是:()

A.核被膜与其他细胞膜完全一样

B.核被膜将遗传物质与细胞质相隔离

C.被膜是一对同心膜

D.被膜上散布着核孔

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第7题
关于“气有余,则制己所胜而侮所不胜;其不及,则己所不胜,侮而乘之,己所胜,轻而侮之”,下列关于叙述
不正确的是

A.相乘和相侮都是不正常的相克现象

B.发生相乘时,也可同时发生相侮

C.相乘是按五行的相克次序发生过强的克制,相侮是与五行相克次序发生相反方向的克制现象

D.发生相侮时,不可同时发生相乘

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第8题
下列关于六淫的叙述不正确的是A.指风、寒、暑、湿、燥、火六种正常的自然界气候变化B.具有外感性、季节

下列关于六淫的叙述不正确的是

A.指风、寒、暑、湿、燥、火六种正常的自然界气候变化

B.具有外感性、季节性、地区性、相兼性的共同致病特点

C.当气候变化异常,超过机体正常的适应范围或机体适应能力低下,不能适应正常的气候变化,六气变为六淫侵害人体

D.指风、寒、暑、湿、燥、火六种外感病邪

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第9题
下列关于正统多元论学派的叙述,不正确的是()

A.该学派主要关注经济体系中对效率的需求与雇佣关系中对公平的需求之间的平衡

B.该学派主要研究劳动法律、工会和集体谈判制度

C.该学派认为雇员对公平和公正待遇的关心,与管理方对经济效率和组织效率的关心是相 互冲突的

D.该学派强调弱势工会

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第10题
下面是有关DRAM和sRAM存储器芯片的叙述: Ⅰ.DRAM存储单元的结构比sRAM简单 Ⅱ.DRAM比SRAM成本高 Ⅲ.DRAM比SRAM速度快 Ⅳ.DRAM要刷新,SRAM不需刷新 其中正确的是______。

A.Ⅰ和Ⅱ

B.Ⅱ和Ⅲ

C.Ⅲ和Ⅳ

D.Ⅰ和Ⅳ

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第11题
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述:I,DRAM芯片的集成度比SRAM高II,DRAM芯片的成本比SRAM高II
I,DRAM芯片的速度比SRAM快Ⅳ,DRAM芯片工作时需要刷新,SRAM芯片工作时不需要刷新通常情况下,错误的是()。

A.I和II

B.II和III

C.III和Ⅳ

D.I和Ⅳ

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