题目内容
(请给出正确答案)
[单选题]
霍尔电势不等位电势产生的主要原因不包括()。
A.激励电极与霍尔电极接触不良,形成非欧姆接触
B.半导体材料不均匀造成了电阻率不均匀或几何尺寸不均匀
C.霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位面上
D.激励电极接触不良造成激励电流不均匀分布等
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A.激励电极与霍尔电极接触不良,形成非欧姆接触
B.半导体材料不均匀造成了电阻率不均匀或几何尺寸不均匀
C.霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位面上
D.激励电极接触不良造成激励电流不均匀分布等
已知某霍尔传感器的激励电流I=3A,磁场的磁感应强度B=5×10-3T,导体薄片的厚度d=2mm,霍尔常数RH=0.5,试求薄片导体产生的霍尔电势UH的大小。
A.若霍尔元件的载流子是正电荷,a侧电势高于b侧
B.若霍尔元件的载流子是负电荷,a侧电势高于b侧
C.无论霍尔元件的载流子是正、负电荷。a侧电势均高于b侧
D.霍尔元件给定后,霍尔电压反比于磁感应强度B和通人的电流,的大小
度系数为22V/(A·T),试求其输出霍尔电势及载流子浓度。
A.霍尔传感器具有在静态下感受磁场的能力。
B.当控制电流不变时,霍尔电势正比于磁感应强度。
C.当控制电流、磁感应强度均变时,传感器的输出与二者的乘积成正比。
D.当磁感应强度恒定不变时,霍尔电压与控制电流成反比。
直流发电机中电枢绕组产生的电磁转矩是( )性质的转矩,直流电动机电枢绕组电势的方向与电枢电流的方向( )。