题目内容
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[单选题]
欲测量试品介质的损耗因素tgδ,采用的方法应该是（)。
A.电磁系仪表测量
B.高压西林电桥法测量
C.伏安法测量
D.兆欧表测量
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此题为判断题(对，错)。
对高压电容式绝缘结构的试品，不仅要监测其绝缘介质损耗因数，还要监测其电容量的相对变化。()
A.桥体加反干扰源
B.将试验电源移相或选相、倒相
C.改用与干扰源同步的电源作试验电源
D.将电桥移位，远离干扰源
某信号源通过一段同轴电缆与负载相联。设电源电压Us=1V，内阻R1=300Ω，频率f=50MHz。电缆特性阻抗Zc=60Ω，采用聚乙烯作绝缘介质，其相对介电系数ε1=2.25，损耗可以忽略。负载为一电阻R2=12Ω。试计算在下列不同电缆长度情况下负载端的电压和功率：(a)l=1m；(b)l=2m；(c)l=0(负载直接联于信号源)。
如图4．16所示的放大介质在1．05μm波长处的小信号增益为6dB(即G0=4)，发射截面为10-17cm2，上、下能级寿命分别为500μs和10ns，增益介质每个端面的损耗为2％，环腔中光隔离器的损耗可忽略不计，试计算输出光强。
