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题目内容（请给出正确答案）

[判断题]

考虑PN结雪崩击穿机制，温度越高，半导体晶格振动越强，载流子与晶格碰撞几率增大，从而更易发生雪崩击穿。（)

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更多“考虑PN结雪崩击穿机制，温度越高，半导体晶格振动越强，载流子…”相关的问题

第1题

何谓PN结的击穿特性？雪崩击穿和齐纳击穿各有何特点？

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第2题

击穿电压小于4v的属于齐纳击穿，击穿电压高于6v的属于（)。

A.雪崩击穿

B.电压击穿

C.电流击穿

D.PN结击穿

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第3题

加大PN结的反向电压到某一值时，反向电流突然剧增，这种现象叫PN结（)。

A.烧坏

B.击穿

C.穿透

D.损坏

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第4题

可控硅管是具有三个PN结的四层半导体。（)

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第5题

晶体三极管是具有二个PN结的三层半导体器件。（)

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第6题

面接触型半导体二极管PN结面积小，用于检波和____________等高频电路。

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第7题

单相可控硅是具有3个PN结的四层半导体器件。（)

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第8题

（)半导体二极管，其实质就是一个PN结，两端引线中P为阳极，N为阴极。

( )半导体二极管，其实质就是一个PN结，两端引线中P为阳极，N为阴极。

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第9题

N型半导体中多数载流子是______，P型半导体中多数载流子是______，PN结具有______特性。

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第10题

稳压管也是一种二极管，与一般二极管不同之处是它正常工作在PN结的（)区。

A.正向击穿

B.截止

C.放大

D.反向击穿

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第11题

（)是三个PN结、四层结构的半导体器件

A.半导体二极管

B.半导体三极管

C.晶闸管

D.齐纳管

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