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[主观题]
场效应管共漏极放大电路如图2．5．8所示，已知工作点处的跨导gm=0．9mS，求电压增益Av、输入电阻Ri和输
出电阻Ro。
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共源极放大电路如下图所示，已知场效应管gm=1.2mS，画出该电路交流通路和交流小信号等效电路，求Au、Ri、Ro。
电路如图题5.2.6所示，设场效应管的参数为gm1=0.8mS，λ1=λ2=0.01V-1。场效应管的静态工作电流ID=0.2mA。试求该共源放大电路的电压增益。
电路如图题4.6.2(主教材图4.6.8)所示，设场效应管的参数为gm1=0.7mS，λ1=λ2=0.01V-1。场效
应管静态工作时的偏置电流IREF=0.2mA。试求该CMOS共源放大电路的电压增益Ae。
共漏放大电路如图LP4-32所示.(1)画出交流等效电路;(2)推导
表示式.设rds和RL的作用忽略不计.
共射极放大电路如图3-12所示，设三极管的β=100，rbe=6kΩ，rbb'=100Ω，fT=100MHz，Cμ=4pF。
(1) 估算中频电压放大倍数Ausm
(2) 估算下限频率fL
(3) 估算上限频率fH。
165千欧，Rg2=35千欧，VTS=0.8V，Kn=1mA/V2， 场效应管的输出电阻rds=∞(λ=0)，电路静态工作点处VGS=1.5V。试求图题4.4.1a所示共源极电路的小信号电压增益Ar=v0/vi、源电压增益Ads=v0/ve、输入电阻Ri和输出电阻R0。
场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为()场效应管。
A.P沟道增强型MOS型
B.P沟道耗尽型MOS型
C.N沟道增强型MOS型
D.N沟道耗尽型MOS型
E.N沟道结型
F.P沟道结型
