题目内容
(请给出正确答案)
[多选题]
湿法贮源水下辐照装置如下图所示,下列说法中正确的是()。
A.放射源存放在去离子水中,并要达到安全水位
B.放射源存放在贮源水井中,大约7米
C.放射源一直在屏蔽容器中
D.使用时被辐照的物品移到水下某一位置
查看答案
如果结果不匹配,请 联系老师 获取答案
A.放射源存放在去离子水中,并要达到安全水位
B.放射源存放在贮源水井中,大约7米
C.放射源一直在屏蔽容器中
D.使用时被辐照的物品移到水下某一位置
A.电导率不大于1~10μS/cm
B.钙离子含量高
C.pH值小于4
D.氯(Cl-)离子含量不大于1mg/L
A.电导率不低于1~10μS/cm
B.钙离子含量不大于1mg/L
C.pH值保持5.5~8.5
D.氯离子(Cl-)含量不大于1mg/L
E.钠离子(Na+)含量不大于1mg/L
共源极放大电路如下图所示,已知场效应管gm=1.2mS,画出该电路交流通路和交流小信号等效电路,求Au、Ri、Ro。
电路如下图所示。设R=0.75kΩ,Rg1=Rg2=240kΩ,Rs=4kΩ,场效应管的gm=11.3mS,rds=50kΩ。试求源极跟随器的源电压增益Avs、输入电阻Ri和输出电阻Ro。
某软件的相关信息如下图所示:
则下列说法正确的是()。
A.这是一个免费软件
B.该软件能免费试用45天
C.该软件在付费$39.95后能用45天
D.该软件45天后才能注册
放大电路如下图所示,已知晶体管为硅管、β=60,所有电容对交流短路。试计算静态工作点电流ICQ、电压增益Av、源电压增益Avs、输入电阻Ri和输出电阻Ro的值。
电流源电路如下图所示,VDD=+5V,-VSS=-5V,T1~T5为特性相同的NMOS管,VT=2V,KN2=KN3=KN4=KN5=0.25mA/V2,KN1=0.10mA/V2,λ=0,求IREF和I。