在图题6.2(a)所示的施密特触发器电路中,已知R1=10kΩ,R2=30kΩ,G1和G2为CMOS反相器,VDD=15V。
(1) 试计算电路的正向阈值电压VT+、负向阈值电压VT-和回差电压△VT。
(2) 若将图题6.2(b)给出的电压信号加到图题6.2(a)电路的输入端,试画出电压的波形。
在图10.2所示的用CMOS反相器组成的施密特触发电路中,若R1=50kΩ,R2=100 kQ,VDD=5V,,试求电路的输入转换电平VT+、VT-以及回差电压△VT。
电路如图L10-4-1所示,其中门G1、G2均为CMOS反相器,T为NMOS场效应管,vI为输入信号,为连续可变正信号,且有RP足够大,RF远大于RON(N)和RON(P),试分析该电路的工作原理。
在图P3.8电路中,若CMOS反相器的电源电压VDD=5V,负载电容CL=100pF,静态电源电流为20μA。当输入为1MHz矩形波时测得电源电流的平均值为o.72mA,试求反相器功耗电容Cpd的数值。
CMOS反相器的电路如图2.3.2所示,反相器的输出端接有负载电容CL,已知VDD=10V,静态电流IDO=1μA,CL=60pF,输入信号为理想的矩形波,
在图3.21所示电路中R1、R2和C构成输入滤波电路。当开关S闭合时,要求门电路的输入电压VIL≤0.4V;当开关S断开时,要求门电路的输入电压VIH≥4V,试求R1和R2的最大允许阻值G1~G5为74系列TTL反相器,它们的高电平输入电流IIH≤20μA,低电平输入电流|IIL|≤0.4mA。
CMOS芯片4007的内部电路如图T3.5-1所示,请用4007电路分别接成:
(1)3反相器;
(2)3输入或非门;
(3)3输入与非门;
在图10.3.12所示的施密特触发器构成的多谐振荡器中,已知CMOS集成施密特触发器的VDD=15V,VT+=9V,VT-=4V,R=10 kΩ,C=0.01μF,试求该电路的振荡周期。
图P3.6是用输出端并联的OD门驱动CMOS反相器和与非门的电路。试计算当VDD=5V时外接电阻RP阻值的合理范围。要求OD门输出的高、低电平满足VOH≥3.5V、VOL≤0.3V。已知OD门G1~G3输出高电平时,每个输出端MOS管的漏电流为IOH(max)=10μA;输出低电平时,每个输出端MOS管输出电流的最大值为IOL(max)=4mA,输出低电平VOL≤0.3V。CMOS反相器和与非门每个输入端的高电平输入电流和低电平输入电流最大值均为1μA。