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第1题
在CMOS门电路中，有时采用图3．5．5所示的方法扩展输入端。试分析图中（a)，（b)所示电路的逻辑功能，写
在CMOS门电路中，有时采用图3．5．5所示的方法扩展输入端。试分析图中(a)，(b)所示电路的逻辑功能，写出Y的逻辑表达式。假定VDD=10 V，二极管的正向导通压降VD=0．7 V。
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第4题
试分析图3．5．7（a)，（b)所示电路的逻辑功能，写出y的逻辑表达式。图中的门电路均为CMOS门电路。
试分析图3．5．7(a)，(b)所示电路的逻辑功能，写出y的逻辑表达式。图中的门电路均为CMOS门电路。
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第7题
在CMOS电路中采用图（a)～（d)所示的扩展功能用法，试分析各图的逻辑功能，写出Y1～Y4的逻辑表达式。已知电源电压V
在CMOS电路中采用图(a)～(d)所示的扩展功能用法，试分析各图的逻辑功能，写出Y1～Y4的逻辑表达式。已知电源电压VDD=10V，二极管的正向导通压降为0.7V。
第8题
在图10．3．12所示的施密特触发器构成的多谐振荡器中，已知CMOS集成施密特触发器的VDD=15V，VT＋=9V，V
在图10．3．12所示的施密特触发器构成的多谐振荡器中，已知CMOS集成施密特触发器的VDD=15V，VT+=9V，VT-=4V，R=10 kΩ，C=0．01μF，试求该电路的振荡周期。
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第9题
电路如图题4.6.2(主教材图4.6.8)所示，设场效应管的参数为gm1=0.7mS，λ1=λ2=0.01V卐
电路如图题4.6.2（主教材图4.6.8)所示，设场效应管的参数为gm1=0.7mS，λ1=λ2=0.01V卐
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电路如图题4.6.2(主教材图4.6.8)所示，设场效应管的参数为gm1=0.7mS，λ1=λ2=0.01V-1。场效
应管静态工作时的偏置电流IREF=0.2mA。试求该CMOS共源放大电路的电压增益Ae。
第10题
图2.3.5所示电路中，（a)图中的G1、G2均为CMOS门电路；（b)图中G1、G2和G3均为TTL门电路，G4为CMOS门电路。试写出Y1
图2.3.5所示电路中，(a)图中的G1、G2均为CMOS门电路；(b)图中G1、G2和G3均为TTL门电路，G4为CMOS门电路。试写出Y1和Y2的逻辑表达式。
