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[主观题]

已知图8-15循环灯电路,VRXD、VTXD、PIOX1分别为P1.5~P1.7,试利用单字节虚拟串行输出子程序VUARTO编制程序,使

已知图8-15循环灯电路,VRXD、VTXD、PIOX1分别为P1.5~P1.7,试利用单字节虚拟串行输出子程序VUARTO编制程序,使发光二极管从右至左,每隔0.5秒依次点亮,不断循环。

已知图8-15循环灯电路,VRXD、VTXD、PIOX1分别为P1.5~P1.7,试利用单字节虚拟串

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第1题
已知图8-16并入串出电路,VRXD、VTXD、PIOX2分别为P1.0~P1.2,试利用单字节虚拟串行输入子程序VUARTI编制程序,

已知图8-16并入串出电路,VRXD、VTXD、PIOX2分别为P1.0~P1.2,试利用单字节虚拟串行输入子程序VUARTI编制程序,每隔1秒(运用T0中断,fosc=6MHz)从74HC165并行口输入状态数据,并存入内RAM 30H。

已知图8-16并入串出电路,VRXD、VTXD、PIOX2分别为P1.0~P1.2,试利用单字节虚拟

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第2题
在图P9.15的多谐振荡电路中,已知集成施密特触发电路74HC14在VDD为4.5V时的正向阈值电压和负
向阈值电压分别为VT1=2.5V,VT=1.6V。若C=2200pF,R=51kΩ,试求输出脉冲的重复频率。

在图P9.15的多谐振荡电路中,已知集成施密特触发电路74HC14在VDD为4.5V时的正向阈值电压

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第3题
在图题6.2(a)所示的施密特触发器电路中,已知R1=10kΩ,R2=30kΩ,G1和G2为CMOS反相器,VDD=15V。 (1) 试计算电路

在图题6.2(a)所示的施密特触发器电路中,已知R1=10kΩ,R2=30kΩ,G1和G2为CMOS反相器,VDD=15V。

(1) 试计算电路的正向阈值电压VT+、负向阈值电压VT-和回差电压△VT

(2) 若将图题6.2(b)给出的电压信号加到图题6.2(a)电路的输入端,试画出电压的波形。

在图题6.2(a)所示的施密特触发器电路中,已知R1=10kΩ,R2=30kΩ,G1和G2为CMOS

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第4题
已知循环灯电路见图6-4,试编程使发光二极管从右至左,每隔0.3秒依次点亮,不断循环。

已知循环灯电路见图6-4,试编程使发光二极管从右至左,每隔0.3秒依次点亮,不断循环。

已知循环灯电路见图6-4,试编程使发光二极管从右至左,每隔0.3秒依次点亮,不断循环。已知循环灯电路

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第5题
习题8-15图所示电路中,电流源的电流is=6A,R=2Ω,C=1F。t=0时闭合开关,在下列两种情况下求uC、iC以及电源发出的

习题8-15图所示电路中,电流源的电流is=6A,R=2Ω,C=1F。t=0时闭合开关,在下列两种情况下求uC、iC以及电源发出的功率。

习题8-15图所示电路中,电流源的电流is=6A,R=2Ω,C=1F。t=0时闭合开关,在下列两种情

(1)uC(0-)=3V;(2)uC(0-)=15V。

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第6题
已知图9-7,3位共阳型动态显示电路,显示数(≤255)存在内RAM 50H中,试编制3位动态扫描显示程序(循环10次)。要求

已知图9-7,3位共阳型动态显示电路,显示数(≤255)存在内RAM 50H中,试编制3位动态扫描显示程序(循环10次)。要求显示程序分为3个子程序:

已知图9-7,3位共阳型动态显示电路,显示数(≤255)存在内RAM 50H中,试编制3位动态扫描显

①显示数转换为百、十、个位显示数字,存在30H~32H;

②显示数字转换为显示字段码(需编写字段码表,显示字段码仍存在30H~32H);

③循环扫描显示子程序。

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第7题
两级放大电路如下图所示,已知场效应管V的gm=1ms,晶体管VT的β=99,rbe=2kΩ,电容足够大。

两级放大电路如下图所示,已知场效应管V的gm=1ms,晶体管VT的β=99,rbe=2kΩ,电容足够大。(1)试画出该电路的小信号等效电路;(2)说明 RG3的作用,并求输入电阻Ri; (3)求电压放大倍数 Au及输出电阻 Ro。

两级放大电路如下图所示,已知场效应管V的gm=1ms,晶体管VT的β=99,rbe=2kΩ,电容足够

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第8题
图题6.3是用CMOS反相器接成的压控施密特触发器电路,试分析它的转换电平VT+、VT-和回差电压△VT与控制电压VCO

图题6.3是用CMOS反相器接成的压控施密特触发器电路,试分析它的转换电平VT+、VT-和回差电压△VT与控制电压VCO的关系。

图题6.3是用CMOS反相器接成的压控施密特触发器电路,试分析它的转换电平VT+、VT-和回差电压△

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第9题
试确定图2.4.1所示各增强型MOS管工作状态。已知各MOS管的∣VT∣=2 V,忽略电阻上的压降。

试确定图2.4.1所示各增强型MOS管工作状态。已知各MOS管的∣VT∣=2 V,忽略电阻上的压降。

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第10题
由运放驱动的OCL功放电路如图4-12所示。已知:UCC=18V,RL=16Ω, R1=10KΩ,Rf=150kΩ,运放最大输出电流为±25mA,VT

由运放驱动的OCL功放电路如图4-12所示。已知:UCC=18V,RL=16Ω, R1=10KΩ,Rf=150kΩ,运放最大输出电流为±25mA,VT1、VT2管饱和压降UCES=2V。

由运放驱动的OCL功放电路如图4-12所示。已知:UCC=18V,RL=16Ω, R1=10KΩ,R

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