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[判断题]

当电容型套管电容量变化达到+5%时(或达到一层电容屏击穿引起变化)应认真解决。()

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第1题
电容器的电容量,极距变化型的电容传感器其灵敏度表达式为:___。

电容器的电容量,极距变化型的电容传感器其灵敏度表达式为:___。

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第2题
在RLC串联谐振电路实验中,电源电压Us=1V保持不变。当调节电源频率达到谐振时,f0=100kHz,回路电流I0=100mA;当

在RLC串联谐振电路实验中,电源电压Us=1V保持不变。当调节电源频率达到谐振时,f0=100kHz,回路电流I0=100mA;当电源频率变到f1=99kHz时,回路电流,I1=70.7mA。试求:电容C的电容量和回路的品质因数

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第3题
将被测非电量的变化转换为电容量变化的传感器称为()。

A.电容式传感器

B.电感式传感器

C.变面积型电容传感器

D.变极板间距型电容传感器

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第4题
当电容型套管末屏对地绝缘电阻小于()时应测量末屏对地,其值不大于百分之二。

A.200兆欧

B.500兆欧

C.1000兆欧

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第5题
西安仪表厂生产的l151型电容式压力变送器是以被测压力的变化,使电容两极板间距离改变,电容量相应变化,从而将被测压力转换成4~20mA的统一输出信号。()
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第6题
设桥式整流电容滤波电路如图所示。已知电源变压器次级电压u2=30sin2π×50t,,求: (1)Uo≈? (2)当负载RL开路

设桥式整流电容滤波电路如图所示。已知电源变压器次级电压u2=30sin2π×50t,,求:

(1)Uo≈?

(2)当负载RL开路时,Uo≈?

(3)当滤波电容C开路时,Uo≈?

(4)若VD1发生开路或短路,对Uo有何影响?

(5)若VD1~VD4中有一个二极管的正、负极性接反,将产生什么后果?

(6)若要求输出电压极性改变,电路应如何变化?

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第7题
以衬底为p型的理想MOS结构为例,当外加电压VG<0时,以下说法正确的是()。

A.负偏压较大时,氧化层电容Cox比空间电荷区电容Cs大

B.负偏压较大时,总的MOS电容近似等于Cs,与外加电压无关

C.当负偏压减小时,能带下弯程度减小,QSC随ψs的变化减慢,因而Cs减小

D.当负偏压减小时,总的MOS电容为Cox与Cs串联组成,故将随负偏压减小而减小

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第8题
两个电容串联,C1容抗为5Ω,C2容抗为Ω,则()。

A.总容抗小于10Ω

B.总电容小于10Ω

C.C1电容量较C2电容量大

D.容抗与频率无关

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第9题
以下对于电容话筒工作原理描述错误的是()。

A.如果声音响度大,膜片的振动幅度就大,则输出电压幅度就大

B.如果声音的音调高,膜片的振动频率就高,则输出电压变化的频率也高

C.电容话筒是利用电容量的变化来工作的

D.不需要供电即可使用

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第10题
测量装在三相变压器上的任一相电容型套管的tanδ和C时,其所属绕组的三相线端与中性点(有中性

测量装在三相变压器上的任一相电容型套管的tanδ和C时,其所属绕组的三相线端与中性点(有中性点引出者)必须短接一起加压,其他非被测绕组则短接接地,否则会造成较大的误差。()

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第11题
WD型卡瓦通过紧固卡瓦座螺钉,推动卡瓦座、卡瓦上行,当卡瓦上部接触到壳体台肩后卡瓦缩径,抱紧并嵌入表层套管,达到连接套管头与套管的目的。 ()
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