题目内容
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[主观题]
电路参数如图题5.7.9所示。设FET的参数为gm=0.8mS,rds=200千欧;T2的β=40,rbe=1
千欧。试求该放大电路的电压增益Ae和输入电阻Ri。
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FET恒流源电路如图题5.3.9所示。设已知管子的参数gm、rds,且μ=gmrds。试证明AB两端的小信号等效电阻为rAB=R+(1+gmR)rd。
电路如图题5.2.6所示,设场效应管的参数为gm1=0.8mS,λ1=λ2=0.01V-1。场效应管的静态工作电流ID=0.2mA。试求该共源放大电路的电压增益。
电路如图题4.6.2(主教材图4.6.8)所示,设场效应管的参数为gm1=0.7mS,λ1=λ2=0.01V-1。场效
应管静态工作时的偏置电流IREF=0.2mA。试求该CMOS共源放大电路的电压增益Ae。
欧,Rm=1千欧,Rxi=10千欧。场效应管参数为VTS=1.5V,Kn=2mA/V2,λ=0。试求(1)静态工作点Q;(2)电压增益Ap和源电压增益Aex;(3)输入电阻Ri和输出电阻R0。
已知电路形式如图题5.3.6(a)所示,其中管子输出特性如图题5.3.6(b)所示,电路参数为Rd=25kΩ,R=1.5kΩ,Rg=5MΩ,VDD=15V。试用图解法和计算法求静态工作点Q。
一个JFET的转移特性曲线如图题4.8.3所示,试问:
(1) 它是N沟道还是P沟道的FET?
(2) 它的夹断电压Vp和饱和漏极电流IDSS各是多少?