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[主观题]

电路参数如图题5.7.9所示。设FET的参数为gm=0.8mS,rds=200千欧;T2的β=40,rbe=1

千欧。试求该放大电路的电压增益Ae和输入电阻Ri。

电路参数如图题5.7.9所示。设FET的参数为gm=0.8mS,rds=200千欧;T2的β=40,

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第1题
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第2题
FET恒流源电路如图题4.8.9所示。设已知管子的参数gm、rds,且μ=gmrds。试证明AB两
端的小信号电阻rAn

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第3题
电路如图题5.2.6所示,设场效应管的参数为gm1=0.8mS,λ1=λ2=0.01V-1。场效应管的静态工作电流ID=0.2mA。试求该

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第4题
电路如图题4.6.2(主教材图4.6.8)所示,设场效应管的参数为gm1=0.7mS,λ12=0.01V卐
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电路如图题4.6.2(主教材图4.6.8)所示,设场效应管的参数为gm1=0.7mS,λ12=0.01V-1。场效

应管静态工作时的偏置电流IREF=0.2mA。试求该CMOS共源放大电路的电压增益Ae

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第5题
电路如图题4.5.1(主教材4.5.1a)所示,设电路参数为VDD=12V,Rg1=150千欧,Rg2=450千
电路如图题4.5.1(主教材4.5.1a)所示,设电路参数为VDD=12V,Rg1=150千欧,Rg2=450千

欧,Rm=1千欧,Rxi=10千欧。场效应管参数为VTS=1.5V,Kn=2mA/V2,λ=0。试求(1)静态工作点Q;(2)电压增益Ap和源电压增益Aex;(3)输入电阻Ri和输出电阻R0

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第6题
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第7题
四个FET的转移特性分别如图题4.8.5a,b,c,d所示,其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向。试问
它们各是哪种类型的FET?

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第8题
已知电路形式如图题5.3.6(a)所示,其中管子输出特性如图题5.3.6(b)所示,电路参数为Rd=25kΩ,R=1.5kΩ,Rg=5MΩ,V

已知电路形式如图题5.3.6(a)所示,其中管子输出特性如图题5.3.6(b)所示,电路参数为Rd=25kΩ,R=1.5kΩ,Rg=5MΩ,VDD=15V。试用图解法和计算法求静态工作点Q。

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第9题
一个JFET的转移特性曲线如图题4.8.3所示,试问:(1) 它是N沟道还是P沟道的FET?(2) 它的夹断电压V

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(1) 它是N沟道还是P沟道的FET?

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第10题
电路如图题4.6.3所示。设两管的特性一致,β1=β2=50,VBEQ1=VBEQ2=0.7V。 (1)试画出该电路的交流通路,说明T1、

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第11题
已知电路形式如图题4.8.6a所示,其中管子输出的特性如图题4.8.6b所示,电路参数改为Rd=25 千
欧,Rs=1.5千欧,Rg=5千欧,VDD=15V。试用图解法,计算法求静态工作点Q。

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