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[判断题]

晶体管内部由3层半导体材料构成,分别称为发射区、基区和集电区,结合处形成两个PN结,分别称为发射极和集电极。()

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第1题
第一个晶体管采用的半导体材料是()。

A.硅

B.锗

C.砷化镓

D.磷化铟

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第2题
一般把由金属导体铂、铜、镍等制成的测温元件称为热电阻,把由半导体材料制成的测温元件称为热敏电阻。()
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第3题
线圈是以()(圆线或扁线)按一定形状绕制而成。线圈可由一匝或多匝组成;多个线圈构成一组单元的称为线圈组;由多个线圈或线圈组构成一相或整个电磁电路的组合统称为绕组。。

A.导体

B.绝缘导体

C.绝缘体

D.半导体

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第4题
将下列半导体材料的特性参数与其性质一一对应。1).禁带宽度A、反映材料的导电能力B、反映半导体材

将下列半导体材料的特性参数与其性质一一对应。

1).禁带宽度

A、反映材料的导电能力

B、反映半导体材料在外界作用(如光或电场)下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性

C、反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量

2).电阻率、载流子迁移率

A、反映材料的导电能力

B、反映半导体材料在外界作用(如光或电场)下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性

C、反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量

3).非平衡载流子寿命

A、反映材料的导电能力

B、反映半导体材料在外界作用(如光或电场)下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性

C、反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量

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第5题
宽带综合业务数字网的协议分为3面和3层,3个面分别称为【 】、控制面和管理面。

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第6题
宽带ISDN的协议分为2面和3层,3个面分别称为用户面、控制面和管理面。每个面又分3层:物理层、______
层和ATM适配层。

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第7题
宽带综合业务数字网的协议分为3面和3层,3个层分别称为【 】、ATM层和ATM适配层。

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第8题
外釉上皮A.成釉器周边是一单层立方状细胞,胞浆少,含有游离核糖体.少量粗面内质网.线粒体和少量散

外釉上皮

A.成釉器周边是一单层立方状细胞,胞浆少,含有游离核糖体.少量粗面内质网.线粒体和少量散在的微丝,称为

B.细胞为星形,有长的突起,细胞之间以桥粒相互连接成网状,称为

C.由2~3层扁平细胞组成,细胞核卵圆形或扁平状,具有高的碱性磷酸酶活性,与釉质形成有关,称为

D.由单层细胞构成,整齐排列在成釉器凹面的基底膜上,与牙乳头相邻,以半桥粒将细胞固定在基底板上,主要细胞器位于细胞核远端,称为

E.在牙胚中央,内釉上皮局部增厚,且往往与釉索相连续,称为

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第9题
内釉上皮A.成釉器周边是一单层立方状细胞,胞浆少,含有游离核糖体.少量粗面内质网.线粒体和少量散

内釉上皮

A.成釉器周边是一单层立方状细胞,胞浆少,含有游离核糖体.少量粗面内质网.线粒体和少量散在的微丝,称为

B.细胞为星形,有长的突起,细胞之间以桥粒相互连接成网状,称为

C.由2~3层扁平细胞组成,细胞核卵圆形或扁平状,具有高的碱性磷酸酶活性,与釉质形成有关,称为

D.由单层细胞构成,整齐排列在成釉器凹面的基底膜上,与牙乳头相邻,以半桥粒将细胞固定在基底板上,主要细胞器位于细胞核远端,称为

E.在牙胚中央,内釉上皮局部增厚,且往往与釉索相连续,称为

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第10题
星网状层A.成釉器周边是一单层立方状细胞,胞浆少,含有游离核糖体.少量粗面内质网.线粒体和少量散

星网状层

A.成釉器周边是一单层立方状细胞,胞浆少,含有游离核糖体.少量粗面内质网.线粒体和少量散在的微丝,称为

B.细胞为星形,有长的突起,细胞之间以桥粒相互连接成网状,称为

C.由2~3层扁平细胞组成,细胞核卵圆形或扁平状,具有高的碱性磷酸酶活性,与釉质形成有关,称为

D.由单层细胞构成,整齐排列在成釉器凹面的基底膜上,与牙乳头相邻,以半桥粒将细胞固定在基底板上,主要细胞器位于细胞核远端,称为

E.在牙胚中央,内釉上皮局部增厚,且往往与釉索相连续,称为

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第11题
中间层A.成釉器周边是一单层立方状细胞,胞浆少,含有游离核糖体.少量粗面内质网.线粒体和少量散在

中间层

A.成釉器周边是一单层立方状细胞,胞浆少,含有游离核糖体.少量粗面内质网.线粒体和少量散在的微丝,称为

B.细胞为星形,有长的突起,细胞之间以桥粒相互连接成网状,称为

C.由2~3层扁平细胞组成,细胞核卵圆形或扁平状,具有高的碱性磷酸酶活性,与釉质形成有关,称为

D.由单层细胞构成,整齐排列在成釉器凹面的基底膜上,与牙乳头相邻,以半桥粒将细胞固定在基底板上,主要细胞器位于细胞核远端,称为

E.在牙胚中央,内釉上皮局部增厚,且往往与釉索相连续,称为

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